M-3型手持式四探針測試儀是運用四探針測量原理測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準。
儀器成套組成：由M-3主機、選配的四探針探頭等二部分組成，也可加配測試臺。
儀器所有參數(shù)設定、功能轉(zhuǎn)換全部采用輕觸按鍵輸入；具有零位、滿度自校功能；手動/自動轉(zhuǎn)換量程可選；測試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。本測試儀采用可充電電池供電，適合手持式變
M-3型手持式四探針測試儀 方型電阻儀 是運用四探針測量原理測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準。
儀器成套組成：由M-3主機、選配的四探針探頭等二部分組成，也可加配測試臺。
儀器所有參數(shù)設定、功能轉(zhuǎn)換全部采用輕觸按鍵輸入；具有零位、滿度自校功能；手動/自動轉(zhuǎn)換量程可選；測試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。本測試儀采用可充電電池供電，適合手持式變動場合操作使用！
探頭選配：根據(jù)不同材料特性需要，探頭可有多款選配。有高耐磨碳化鎢探針探頭，以測試硅類半導體、金屬、導電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻；也有球形鍍金銅合金探針探頭，可測柔性材料導電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導電膜（ITO膜）或納米涂層等半導體材料的電阻率/方阻。換上四端子測試夾具，還可對電阻器體電阻、金屬導體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻進行測量。配探頭，也可測試電池極片等箔上涂層電阻率方阻。
儀器具有測量精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、智能化程度高、結(jié)構(gòu)緊湊、使用簡便等特點。
儀器適用于半導體材料廠、器件廠、科研單位、高等院校對導體、半導體、類半導體材料的手持式導電性能的測試。
三、基本技術(shù)參數(shù)
1. 測量范圍、分辨率
電 阻： 0.010 ～ 50.00kΩ, 分辨率0.001 ～ 10 Ω
電 阻 率： 0.010～ 20.00kΩ-cm， 分辨率0.001 ～ 10 Ω-cm
方塊電阻： 0.050～ 100.00kΩ/□ 分辨率0.001 ～ 10 Ω/□
2. 可測材料尺寸
手持方式不限材料尺寸，但加配測試臺則由選配測試臺決定如下：
直 徑：SZT-A圓測試臺直接測試方式 Φ15～130mm。
SZT-C方測試臺直接測試方式180mm×180mm。
長(高)度：測試臺直接測試方式 H≤100mm。.
測量方位: 軸向、徑向均可.
3. 量程劃分及誤差等級
量程（Ω-cm/□） | 2.000 | 20.00 | 200.0 | 2.000k | 20.00k |
電阻測試范圍 | 0.010～2.200 | 2.000～22.00 | 20.00～220.0 | 0.200～2.200k | 2.000～50.00k |
電阻率/方阻 | 0.010/0.050～2.200 | 2.000～22.00 | 20.00～220.0 | 0.200～2.200k | 2.000～20.00k/100.0k |
基本誤差 | ±1%FSB±2LSB | ±2%FSB±2LSB | |||
4) 適配器工作電源：220V±10％, f=50Hz±4％,PW≤5W，或電池供電
5) 外形尺寸：W×H×L=10cm×3.6cm×21cm
凈 重：≤0.3kg
