PNI電子羅盤模塊TCM2.5（三軸羅盤）：

。測量參數(shù)：航向，磁場強(qiáng)度，傾斜角和翻滾角
。航向精度：0.8゜（分辨率0.1゜，重復(fù)性0.1゜）
。傾斜精度：0.2゜（分辨率0.1゜，重復(fù)性0.1゜）
。翻滾精度：0.2゜（分辨率0.1゜）
。傾斜范圍：±50゜
。磁場測量范圍：±0.8高斯（分辨率：500微高斯）
。工作電壓：5VDC（Regulated）或6到18VDC（Unregulated）
。尺 寸：6.5×5.1×1.4 cm
。工作溫度：-20 ℃到 +75 ℃
。存儲(chǔ)溫度：-40 ℃到 +85 ℃
。數(shù)字輸出：RS232（300-115200波特）
。采樣率： 20次/秒
。低功耗：〈20毫安（睡眠狀態(tài)0.6毫安）
。帶硬磁補(bǔ)償



PNI電子羅盤模塊TCM2.6（三軸羅盤）：

。測量參數(shù)：航向，磁場強(qiáng)度，傾斜角和翻滾角
。航向精度：0.8゜（分辨率0.1゜，重復(fù)性0.1゜）
。傾斜精度：0.2゜（分辨率0.1゜，重復(fù)性0.1゜）
。翻滾精度：0.2゜（分辨率0.1゜）
。傾斜范圍：±50゜
。磁場測量范圍：±0.8高斯（分辨率：500微高斯）
。工作電壓：3.6到5VDC（Unregulated）
。尺 寸：3.5×4.3×1.3 cm
。工作溫度：-40 ℃到 +85 ℃
。存儲(chǔ)溫度：-40 ℃到 +125 ℃
。數(shù)字輸出：RS232（300-115200波特）
。采樣率： 20次/秒
。低功耗：〈20毫安（睡眠狀態(tài)0.6毫安）
。帶硬磁補(bǔ)償



PNI電子羅盤模塊TCM3（三軸羅盤）：

。測量參數(shù)：航向，磁場強(qiáng)度，傾角和翻滾角
。航向精度：0.5゜（當(dāng)傾斜小于70゜）；0.8゜（當(dāng)傾斜大于70゜），（分辨率0.1゜，重復(fù)性0.05゜）
。傾斜精度：0.2゜（分辨率0.01゜，重復(fù)性0.05゜）
。翻滾精度：0.2゜（當(dāng)傾斜小于65゜）；0.5゜（當(dāng)傾斜小于80゜）；1゜（當(dāng)傾斜小于86゜），（分辨率0.1゜）
。傾斜范圍：±80゜
。磁場測量范圍：±0.8高斯（分辨率：500微高斯）
。工作電壓：3.6到5VDC（Unregulated）
。尺 寸：3.5×4.3×1.3 cm
。工作溫度：-40 ℃到 +85 ℃
。存儲(chǔ)溫度：-40 ℃到 +125 ℃
。數(shù)字輸出：RS232（300-115200波特）
。采樣率： 20次/秒
。低功耗：〈20毫安（睡眠狀態(tài)0.6毫安）
。帶硬磁，軟磁和傾角補(bǔ)償



PNI電子羅盤模塊TCM5（精確三軸羅盤）：

。測量參數(shù)：航向，磁場強(qiáng)度，傾角和翻滾角
。*測量：航向360度，傾斜±90度，翻滾±180度
。航向精度：0.3゜（當(dāng)傾斜小于70゜）；0.5゜（當(dāng)傾斜大于70゜），（分辨率0.1゜，重復(fù)性0.05゜）
。傾斜精度：0.2゜（分辨率0.01゜，重復(fù)性0.05゜）
。翻滾精度：0.2゜（當(dāng)傾斜小于65゜）；0.5゜（當(dāng)傾斜小于80゜）；1゜（當(dāng)傾斜小于86゜），（分辨率0.1゜）
。傾斜范圍：±90゜；翻滾角：±180゜
。磁場測量范圍：±0.8高斯（分辨率：500微高斯）
。工作電壓：3.6到5VDC（Unregulated）
。尺 寸：3.5×4.3×1.3 cm
。工作溫度：-40 ℃到 +85 ℃
。存儲(chǔ)溫度：-40 ℃到 +125 ℃
。數(shù)字輸出：RS232（300-115200波特）
。采樣率： 20次/秒
。低功耗：〈20毫安（睡眠狀態(tài)0.6毫安）
。帶硬磁，軟磁和傾角補(bǔ)償

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