三菱IGBT模塊
武漢晶達電子有限公司聚十多年功率半導體的專業經驗,為三菱功率半導體器件在中國區域的*代理商，負責三菱功率半導體在中國市場的推廣和銷售工作。以下大量現貨，歡迎查詢。
A系列
特點:
a） 采用的CSTBT硅片技術；
b） 低飽和壓降Vce（sat）；低開通損耗Eon；低關斷損耗Eoff高短路承受力（不需要RTC）；
c） 降低柵極電容，柵極驅動功率接近平板型IGBT；
d） 采用AlN絕緣基層形成優異的熱阻特性，比歐洲的溝槽型IGBT具有更低的熱阻；
e） 比歐洲的溝槽型IGBT具有更低的成本結構，按IEC747-15標準定義溫度和熱阻。
用途:
低成本設計，適合中、低端
| 型號 | 模塊結構及參數 | 型號 | 模塊結構及參數 |
| CM400HA-24A | 一單元，400A/1200V | CM600DY-24A | 兩單元，600A/1200V |
| CM600HA-24A | 一單元，600A/1200V | CM75DY-34A | 兩單元，75A/1700V |
| CM100DY-24A | 兩單元，100A/1200V | CM100DY-34A | 兩單元，100A/1700V |
| CM150DY-24A | 兩單元，150A/1200V | CM150DY-34A | 兩單元，150A/1700V |
| CM200DY-24A | 兩單元，200A/1200V | CM200DY-34A | 兩單元，200A/1700V |
| CM300DY-24A | 兩單元，300A/1200V | CM300DY-34A | 兩單元，300A/1700V |
| CM400DY-24A | 兩單元，400A/1200V | CM400DY-34A | 兩單元，400A/1700V |
