CITLF4 Cryogenic SiGe Low Noise Amplifier（0.5-4GHz）
簡介
CITLF4低噪音放大器適用于低溫下極低噪音的需求，該產(chǎn)品基于反饋電阻技術(shù)而設(shè)計，獲得很好的輸入匹配和穩(wěn)定的高增益。
CITLF4頻率響應(yīng)范圍是0.5GHz到4GHz，但是到6GHz仍具有高增益和低噪音。該設(shè)備的運行需要單一的正直流電壓源，電壓是1.5V，也可減小到1.2V 以降低功耗，電壓即使增加到 6V也不會損壞放大器。建議放大器的電源電流限制在100mA 以下，肯能會用到一系列電阻器，例如在20K時，放大器5V正電源增加360歐姆的電阻后，提供1.5V電源，9mA電流。
放大器配置一個直流偏置器以備外部設(shè)備連接使用，這一偏置器通過兩個20K電阻器連接到輸入端，一個可以作為電流源使用，一個通過外部設(shè)備作為電壓源使用，提供偏置器的電壓并不會影響放大器的運行。
這款放大器的尺寸是20.7mm x 15.9mm x 8.7mm包括左邊的SMA輸入接頭盒右邊的SMA輸出接頭。
技術(shù)參數(shù)
| RF Frequency 射頻頻率 | 0.5-4GHz |
| Gain增益@ 20K | 36 dB ±3dB |
| Noise temperature噪聲溫度@20 K | <7K(1.4GHz), <8K(0.5-4GHz) |
| Noise figure噪聲指數(shù)@ 20 K | <0.12 dB |
| Noise figure噪聲指數(shù)@300 K | <1.5 dB |
| IRL輸入反射損耗 | >15 dB1GHz), >7dB(0.5-4GHz), typical |
| ORL輸出反射損耗 | >20 dB(1GHz), >9dB(0.5-4GHz), typical |
| Operating temperature工作溫度 | 4.2K- 320K |
| DC power直流功率@300K | 1.5 V,12 mA, 18 mW |
| DC power直流功率@20K | 1.5 V, 8.5 mA, 13 mW |
| Output power for 1dB compression | -3 dBm |
| Safe input power level | <0 dBm |
測試數(shù)據(jù)
S11 and S21 vs Bias at 25K
| | | | | S11 | | | S21 | |
| Vd | Id | P mW | 1 GHz | 3 GHz | 5.5 GHz | 1 GHz | 3 GHz | 5.5 GHz |
| 1.1 | 1.7 | 1.9 | -7.5 | -2.9 | -5.4 | 22.4 | 18.9 | 18.8 |
| 1.2 | 3.2 | 3.8 | | | | | | |
| 1.3 | 5 | 6.5 | -23 | -7.6 | -8.8 | 33.5 | 31.3 | 25.9 |
| 1.5 | 8.3 | 12.5 | -14.6 | -11.5 | -10.5 | 38 | 35.2 | 28 |
| 1.7 | 11.8 | 20.1 | | | | | | |
Note the sensitivity of gain to DC bias voltage. At 1.5V bias the slope is 1.4 dB per 0.1 volt bias change. This is a ΔG/ΔV of 5.7% per 1% sensitivity of gain to DC bias voltage. At 1.5V bias the slope is 1.4 dB per 0.1 volt bias change. This is a ΔG/ΔV of 5.7% per 1%. A..01% power supply gives a gain stability of .06% or .0026 dB.
Use care to not bend (ａnd break) the DC bias pin when tightening the output SMA connector.
偏置器示意圖
點擊查看詳細信息：
