主要技術(shù)指標(biāo):
·測(cè)量范圍:-100KPa~60MPa
·精度等級(jí):0.1級(jí)、0.2級(jí)、0.5級(jí)
·環(huán)境溫度:-40~80℃
·介質(zhì)溫度:-40~125℃(溫度補(bǔ)償-20~80℃)
·長(zhǎng)期穩(wěn)定性:優(yōu)于0.1%F.S/年
·工作電壓:3~36VDC -AC220v
·輸出信號(hào):4-20mA(二線制)0/RS485通訊(兩線制)/Hart協(xié)議
·量程遷移:可做標(biāo)準(zhǔn)量程10:1的遷移
·震動(dòng)影響:任意軸上,200Hz/g為0.01%F.S
·變送器防護(hù)等級(jí):IP65
防爆等級(jí): ExibIICT4 Gb,本質(zhì)安全型
·關(guān)聯(lián)設(shè)備:LB802
·材 料:外殼為模壓鑄鋁
·膜片:316L不銹鋼
·過程連接件為316L不銹鋼
·密封圈:丁晴橡膠、硅橡膠、氟橡膠
結(jié)構(gòu)特點(diǎn):
·過程密封
2088的設(shè)計(jì)保證即使傳感器膜片損壞或故障時(shí),變送器仍能安全地工作。電子線路側(cè)(室)有兩級(jí)密封與過程隔離,第三級(jí)密封實(shí)現(xiàn)了與現(xiàn)場(chǎng)接線端子和導(dǎo)線管入口相隔離。過程密封的設(shè)計(jì)及其位置使變送器殼體耐壓,并防止過程雜質(zhì)由接線端子側(cè)通過導(dǎo)線管進(jìn)入。
·傳感器膜片
隔離膜片將壓力傳給硅壓阻式壓力傳感器,傳感器內(nèi)充有硅油。對(duì)于表壓變送器,傳感器的參考?jí)毫榇髿鈮海粚?duì)于絕壓變送器,傳感器的參考?jí)毫κ且粋€(gè)密封的真空參考源。
過程壓力加在傳感器的傳感膜片上,令膜片產(chǎn)生一個(gè)微小變形,這會(huì)給予傳感器內(nèi)的惠斯登電橋施加一個(gè)應(yīng)力,使惠斯登電橋產(chǎn)生應(yīng)變電阻變化,電阻變化被測(cè)量,并轉(zhuǎn)換為一個(gè)4~20mA直流電流變化被輸出。
· 電子線路板模塊
電子線路采用ASIC(專用集成電路)和表面封裝技術(shù)。電子板接收傳感器膜頭的經(jīng)溫度補(bǔ)償?shù)碾娮枳兓盘?hào)后,對(duì)信號(hào)進(jìn)行修正和線性化,輸出一個(gè)直流電流信號(hào)。
連接方法:
變送器的連接為:M20×1.5的外螺紋(可根據(jù)客戶要求來訂做),可直接安裝在需測(cè)量的管道上。
電器連接為:5VDC供電RS485輸出的二線制。打開郝斯曼接頭,1號(hào)腳接5V電源正級(jí) ,4號(hào)腳連接電源地,2腳接RS485 A,3腳接RS485 B。
選型表:
型號(hào) | 說明 | |||||||
MD-2088 | /□ | /□ | /□ | /□ | /□ | /□ | /□ |
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儀表類型 | K |
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| 擴(kuò)散硅 |
T |
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| 陶瓷壓阻 | |
量程范圍 | 1 |
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| -100Kpa~0Kpa~2kpa~60Mpa(擴(kuò)散硅) | |
2 |
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| 0Mpa~60Mpa~2kpa(擴(kuò)散硅) | ||
3 |
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| -100Kpa~0Kpa~50kpa~60Mpa(陶瓷壓阻) | ||
4 |
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| 0Mpa~50kpa~60Mpa(陶瓷壓阻) | ||
輸出形式 | 1 |
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| 4~20mA | ||
2 |
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| 0~10mA | |||
3 |
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| 1~5V | |||
4 |
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| 0~10V | |||
5 |
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| 4~20Ma+現(xiàn)場(chǎng)顯示 | |||
6 |
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| 4~20Ma+Hart | |||
7 |
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| 4~20Ma+現(xiàn)場(chǎng)顯示+Hart | |||
精度等級(jí) | P1 |
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| 0.1%FS | |||
P2 |
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| 0.2%FS | ||||
P5 |
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| 0.5%FS | ||||
連接方式 | M1 |
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| M20×1.5外螺紋 | ||||
M2 |
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| M27×2外螺紋 | |||||
G1/2 |
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| G1/2外螺紋 | |||||
T |
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| 特殊要求 | |||||
附件功能 | M0 |
| 無顯示 | |||||
M1 |
| LCD液晶顯示器 | ||||||
M2 |
| LED液晶顯示器 | ||||||
防爆類型 | N | 無防爆 | ||||||
F | 防爆型Exd II BT4 |