產品關鍵詞：表面光電壓SPV測試、表面光電譜SPS測試、相位譜、表面光電流SPC測試、瞬態表面光電壓測試、穩態表面光電壓譜儀、表面空間電荷測試、界面及缺陷態測試、表面電勢測量

Product keywords: Surface photovoltage SPV test, surface photospectrum SPS test, phase spectrum, surface photocurrent SPC test, transient surface photovoltage test, steady surface photovoltage spectrometer, surface space charge test, interface and defect state test, surface potential measurement

產品簡介

SteaPVC是 Orienlal Spectra(下稱0S)針對光催化、半導體、MOF（Metal-Organic Framework）等光電領域推出的穩態表面光電流/光電壓測量儀。SteaPVC 是TranPVC（瞬態光電流/光電壓/光電荷測量儀）的姐妹產品，共同為行業提供了完善的穩、瞬態光電流、光電壓、光電荷測量的產品方案。SteaPVC基于相敏檢測技術開發而成，可以在不同的激勵光波長下對超微弱穩態光電流、光電壓信號進行檢測；集成了多種測量模式，可以便捷得到波長依賴的光電流譜、光電壓譜、相位譜；配備了可視化全自動進樣系統，可以便捷地對樣品的位置進行可視化的調控，具有高度的自動化、集成化特征，充分體現了東譜科技“一鍵開機、一次裝載、全局測量、實時交互”的產品理念。

表面光電壓(Surface photovoltage, SPV)是半導體廣泛存在的物理現象。表面光電壓譜(surface photovoltage spectroscopy，SPS)是以無接觸、無損的方式對半導體器件樣品進行檢測，從而研究半導體的帶隙、表面電勢、氧化層、少子壽命、擴散長度、界面及缺陷態、量子阱結構的能帶Offset等。SteaPVC還具有光電流譜的選配模塊，針對具有光電流效應的樣品構建專門檢測電流回路，形成光電流，從而得到光電流譜。SteaPVC采用Melal-insulalor-semiconductor(MIS)的方法對樣品進行測試,是一種無損的測試方法，樣品制備簡單。 近些年，SPS的方法在硅基半導體、III-V族化合物半導體、鈣鈦礦、有機半導體、光催化、水解氫等行業得到了長足發展。

SteaPVC是行業內商業化、自動化的表面光電壓/光電流測量儀，為用戶帶來了革命性的體驗。它實現了高度自動化，幾乎所有操作都能自動完成，省去了人工繁瑣的步驟，讓使用者無需專業背景也能輕松上手。其次，它的數據精準度高，能夠為用戶提供準確、可靠的分析結果，極大提高了工作效率。而且，這款儀器還非常便捷易用，用戶經過半天的培訓，都能迅速設置并開始工作。它的界面設計直觀明了，即使是初學者也能快速掌握操作方法。這款儀器設備不僅解放了用戶的專業束縛，還將以其高效、精準的特點贏得廣大用戶的喜愛，助力用戶輕松應對各種復雜的SPS測試任務。

SPS是一種界面檢測技術。一般來說，表面被定義為具有不同物理性質的介質的邊界。例如，半導體和真空或氣體之間的表面被稱為“自由表面”，或者只稱呼“表面”。半導體和另一種固體之間的表面通常被稱為“界面”。然而，我們有時用“表面”一詞來表示任何邊界，即廣義的表面就是界面。SPS可以用來研究半導體表面、界面及本體相關的性質。

表面局域態（Surface-localized state ）是產生表面光電壓的主要成因，形成表面局域態的物理來源有很多，如：1）由于周期性破壞而在能隙中產生的局部電子態；2）表面形成偶極層；3）晶格對稱性破壞；4）表面重組以最小化表面能；5）表面形成懸掛鍵；6）表面吸附了雜質層等。這些表面局域態觸發了材料內部與表面之間的電荷轉移，以建立兩者之間的熱平衡，形成了非電中性的空間電荷區。這是產生表面光電壓的主要成因。SPS檢測時，涉及到利用精心調制的探測光與樣品發生相互作用，然后檢測表面光電壓在光照和非光照的變化，得到表面光電壓的信號：V_spv = V_s(light)?V_s(dark)，該信號通常極其微弱，一般的檢測裝置很難測試。SteaPVC采用光信號調制技術，顯著提高了對微弱電學信號的捕獲和識別能力，從而可以有效地從背景噪聲中提取出有用的信號，進而增強信號的信噪比，確保檢測結果的準確性和重復性。在硬件設計上，SteaPVC充分考慮了電磁兼容（EMC）的問題，采用了多種措施來抑制可能的電磁干擾。這樣的設計使得設備不僅能夠抵抗外部電磁干擾，同時也減少了設備自身產生的電磁輻射，保證了儀器的高靈敏度和穩定性。基于SteaPVS測量得到的數據進行分析，結合樣品的實際物理模型過程，用戶可以研究一系列的物理特性，既包括半導體表面的特性，也可以得到半導體材料本體的性質參數，一些常見的相關物理參數如下：

1. 表面和界面相關的性質：

① 能帶圖

② DOS of surface states

③ Trap states/defects（gap states）

④ 表面氧化厚度

⑤ Band-offsets

⑥ 表面空間電荷區（SCR）

⑦ 表面偶極：surface dipole

⑧ Tail states

2. 同時，也可以得到很多本體性質相關的定量信息：

① 帶隙；

② 導電類型；

③ 擴散長度；

④ 少數載流子壽命；

測量模式

□ 單點測量；

□ 掃描測量；

• 波長掃描；
  

• 頻率掃描；
  

• 光源強度掃描；
  

• 電場強度掃描（EFISPS）；
  

• 溫度掃描：變溫測試。
  

產品特點

□ Turn-key系統，具有充分的“Plug & Play”特征；

□ 測試條件設置功能豐富；

□ 具有自動化、高度集成化的特點；

□ 測試過程由軟件控制，使用便捷，對操作人員的專業技能要求低；

□ 樣品臺帶位移功能，方便對同一基片上的不同子器件進行測試，多子器件測試切換由軟件進行，測試效率高；

□ 集成樣品倉，方便更換樣品和電學互聯，樣品倉可視化監測系統，實時觀察測試光照射器件情況，便于調整樣品的光斑照射位置。

功能參數

□ 表面光電壓SPV；

□ 光電流譜(SPC，選配)；

□ 電場誘導表面光電壓譜（EFISPS，選配）；

□ 泵浦-探測表面光電壓譜（PPSPS，選配）；

□ 相位譜等。

應用場景

□ 適用硅基半導體、化合物半導體、第三代寬帶隙半導體、Wafer測試、有機太陽能電池、鈣鈦礦太陽能電池、有機發光二極管、二維半導體、染料敏化太陽能電池、銅銦鎵硒太陽能電池；

□ 適用MOF（金屬有機框架）、COF（共軛有機框架）、鎘鋅碲化物（CZT）、光解水、Mxenes、光催化器件、其它光電轉換器件。

技術參數