陜西天士立科技有限公司，專業從事半導體檢測之“半導體電學測試系統”“半導體可靠性試驗臺”“半導體老化試驗臺”以及氣候環境試驗設備、力學環境試驗設備、參數化脈沖電源、半導體EDA仿真軟件、智慧工廠、碳化硅陶瓷材料、第三方檢測實驗室為一體的科研、制造、開發、服務性品牌。核心團隊匯集了來自院所高校和企業的從事電力電子、芯片開發、電源、軟件等領域人士。產品成熟可靠，久經市場考驗，在替代同類進口產品方面有著突出的優勢。

“半導體檢測”系列產品覆蓋半導體功率器件的初始研發到規模量產再到應用端的全產業鏈。服務領域包括半導體器件及IC上游產業（設計、制造、封裝、IDM廠商、晶圓、DBC襯板）和應用端產業（院所高校、電子廠、軌道機車、新能源汽車、白色家電等......）應用場景主要有器件及IC研發期預演測試、晶圓廠自動化芯片測試、器件及IC后道封裝測試。應用端的來料檢驗、失效分析、器件選型、參數配對、壽命預估等。

“環境試驗設備”包括力學振動臺、沖擊試驗臺、振動溫度濕度三綜合、高低溫環境試驗箱、各類氣候環境試驗箱、熱流儀、精密實時在線高低溫箱。

“電氣工程”產品系列及服務包括電力半導體器件、模塊、組件的研制及綜合檢測設備；電氣自動化設備，電冶、電化學整流裝置；電力半導體變流裝置及各種高、中、低頻感應加熱電源，感應加熱爐，變壓器、整流器、電感器、電容器、互感器、傳感器及其配套設備；晶閘管光控高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅動器；遠距離光電傳感轉換軟件控制系統；光電脈沖觸發板、IGBT智能高壓驅動機車調速匯報板；SVC無功靜補裝置等。

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產品簡介在線詢價

產地	國產	加工定制	否	適用行業	電子電器

陜西天士立科技有限公司/STD2000/MOSFET參數測試儀系統可以測試Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦......等很多電子元器件的靜態直流參數和IV曲線（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開啟電壓/VCE(on)、跨導/Gfe/Gfs、壓降/Vf等

MOSFET參數測試儀系統產品詳情

MOSFET參數測試儀系統

高壓源標配1400V（選配2KV），高流源標配100A（選配40A,200A,500A）柵極電壓40V，柵極電流100mA分辨率至1.5uV / 1.5pA，精度可至0.1%

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研發生產半導體檢測·電學檢測·可靠性檢測·老化實驗各類儀器設備

一：規格&環境

1.1、產品信息

產品型號：STD2000

產品名稱：MOSFET參數測試儀

1.2、物理規格

主機尺寸：深660*寬430*高210(mm)

主機重量：＜35kg

1.3、電氣環境

主機功耗：＜300W

海拔高度：海拔不超過 4000m；

環境要求：-20℃～60℃（儲存）、5℃～50℃（工作）；

相對濕度： 20%RH～75%RH (無凝露，濕球溫度計溫度 45℃以下)；

大氣壓力：86Kpa～106Kpa；

防護條件：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導電粉塵等；

電網要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz；

工作時間：連續；

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第二部分：應用場景和產品特點

一、應用場景

1、測試分析（功率器件研發設計階段的初始測試，主要功能為曲線追蹤儀）

2、失效分析（對失效器件進行測試分析，查找失效機理。以便于對電子整機的整體設計和使用過程提出改善方案）

3、選型配對（在器件焊接至電路板之前進行全部測試，將測試數據比較一致的器件進行分類配對）

4、來料檢驗（研究所及電子廠的質量部（IQC）對入廠器件進行抽檢/全檢，把控器件的良品率）

5、量產測試（可連接機械手、掃碼槍、分選機等各類輔助機械設備，實現規模化、自動化測試）

6、替代進口（STD2000MOSFET參數測試儀可替代同級別進口產品）

二、產品特點

1、程控高壓源10~1400V，提供2000V選配；

2、程控高流源1uA~100A，提供40A,200A,500A選配；

3、驅動電壓10mV~40V

4、控制極電流10uA~100mA；

5、16位ADC，1M/S采樣速率；

6、自動識別器件極性 NPN/PNP

7、曲線追蹤儀，四線開爾文連接保證加載測量的準確

8、通過 RS232 接口連接校準數字表，對系統進行校驗

9、不同的封裝形式提供對應的夾具和適配器（如TO220、SOP-8、DIP、SOT-23等等）

10、MOSFET參數測試儀能測很多電子元器件（如二極管、三極管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、繼電器等等）；

11、MOSFET參數測試儀能實現曲線追蹤儀（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開啟電壓/VCE(on)、跨導/Gfe/Gfs、壓降/Vf、導通內阻Rds(on) ）

12、結電容參數也可以測試，諸如Cka，Ciss，Crss，Coss；

13、脈沖電流自動加熱功能，方便高溫測試，無需外掛升溫裝置；

14、Prober 接口、Handler 接口可選（16Bin），連接分選機效率1h/9000個；

15、MOSFET參數測試儀在各大電子廠的IQC、實驗室有著廣泛的應用；

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第三部分：產品介紹

3.1、產品介紹

STD2000MOSFET參數測試儀是由我公司技術團隊結合MOSFET參數測試儀的多年經驗，以及眾多國內外測試系統產品的熟悉了解后，自主開發設計的全新一代“MOSFET參數測試儀”。軟件及硬件均由團隊自主完成。這就決定了這款產品的功能性和可靠性能夠得到持續完善和不斷的提升。

MOSFET參數測試儀脈沖信號源輸出方面，高壓源標配1400V（選配2KV），高流源標配100A（選配40A,200A,500A）柵極電壓40V，柵極電流100mA，分辨率至1uV / 1.5pA，精度可至0.1%。程控軟件基于Lab VIEW平臺編寫，填充式菜單界面。采用帶有開爾文感應結構的測試插座，自動補償由于系統內部及測試電纜長度引起的任何壓降，保證測試結果準確可靠。產品可測試 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 等7大類26分類的電子元器件。涵蓋電子產品中幾乎所有的常見器件。無論電壓電流源還是功能配置都有著擴展性。

產品為桌面放置的臺式機結構，由測試主機和程控電腦兩大部分組成。外掛各類夾具和適配器，還能夠通過Prober 接口、Handler 接口可選（16Bin）連接分選機和機械手建立工作站，實現快速批量化測試。通過軟件設置可依照被測器件的參數等級進行自動分類存放。能夠應對“來料檢驗”“失效分析”“選型配對”“量產測試”等不同場景。

MOSFET參數測試儀產品的可靠性和測試數據的重復性以及測試效率都有著非常優秀的表現。創新的“點控式夾具”讓操作人員在夾具上實現一點即測。操作更簡單效率更高。測試數據可保存為EXCEL文本，方便快捷的完成曲線追蹤儀。

3.2、人機界面（STD2000MOSFET參數測試儀）

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第四部分：功能配置

4.1、配置選項

STD2000MOSFET參數測試儀的功能配置如下

4.2、適配器選型

STD2000MOSFET參數測試儀的適配器有如下

4.3、測試種類及參數

STD2000MOSFET參數測試儀的測試種類和參數如下

(1)二極管類：二極管 Diode

Kelvin，Vrrm，Irrm，Vf，△Vf，△Vrrm，Cka，Tr（選配）；

(2)二極管類：穩壓二極管 ZD（Zener Diode）

Kelvin，Vz，lr，Vf，△Vf，△Vz，Roz，lzm，Cka；

(3)二極管類：穩壓二極管 ZD（Zener Diode）

Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka；

(4)二極管類：三端肖特基二極管SBD（SchottkyBarrierDiode）

Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr（選配）；

(5)二極管類：瞬態二極管 TVS

Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ；

(6)二極管類：整流橋堆

Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka；

(7)二極管類：三相整流橋堆

Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka；

(8)三極管類：三極管

Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr （選配）、Ts（選配）、Value_process；

(9) 三極管類：雙向可控硅

Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm；

(10)三極管類：單向可控硅

Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、Vtm；

(11)三極管類：MOSFET

Kelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ；

(12)三極管類：雙MOSFET

Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、Coss、Crss；

(13)三極管類：JFET

Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、Ciss、Crss、Coss；

(14)三極管類：IGBT

Kelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss；

(15)三極管類：三端開關功率驅動器

Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt；

(16)三極管類：七端半橋驅動器

Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt；

(17)三極管類：高邊功率開關

Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt；

(18)保護類：壓敏電阻

Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr ;

(19)保護類：單組電壓保護器

Kelvin 、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr；

(20)保護類：雙組電壓保護器

Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr；

(21)穩壓集成類：三端穩壓器

Kelvin 、Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、ISC、Max_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk；

(22)穩壓集成類：基準IC（TL431）

Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka；

(23)穩壓集成類：四端穩壓

Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk；

(24)穩壓集成類：開關穩壓集成器

選配；

(25)繼電器類：4腳單刀單組、5腳單刀雙組、8腳雙組雙刀、8腳雙組四刀、固態繼電器

Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton（選配）、Toff（選配）；

(26)光耦類：4腳光耦、6腳光耦、8腳光耦、16腳光耦

Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf；

(27)傳感監測類：

電流傳感器（ACS712XX系列、CSNR_15XX系列）（選配）；

霍爾器件（MT44XX系列、A12XX系列）（選配）；

電壓監控器（選配）；

電壓復位IC（選配）；

曲線追蹤儀

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第五部分：性能指標

STD2000MOSFET參數測試儀的性能指標如下

5.1、電流/電壓源（VIS）自帶VI測量單元

（1）加壓(FV)

量程±40V分辨率625uV精度±0.1% 設定值±3mV

量程±20V分辨率320uV精度±0.1% 設定值±3mV

量程±10V分辨率160uV精度±0.1% 設定值±3mV

量程±5V分辨率80uV精度±0.1% 設定值±2mV

量程±2V分辨率32uV精度±0.1% 設定值±2mV

（2）加流(FI)

量程±40A 分辨率625uA精度±0.5% 設定值±30mA

量程±4A 分辨率62.5uA精度±0.2% 設定值±2mA

量程±400mA分辨率6.25uA精度±0.1% 設定值±500uA

量程±40mA分辨率625nA精度±0.1% 設定值±50uA

量程±4mA分辨率62.5nA精度±0.1% 設定值±5uA

量程±400uA分辨率6.25nA精度±0.1% 設定值±500nA

量程±40uA分辨率625pA精度±0.1% 設定值±50nA

量程±4uA分辨率62.5pA精度±0.1% 設定值±5nA

說明：電流大于1.5A自動轉為脈沖方式輸出，脈寬范圍：300us-1000us可調

（3）電流測量(MI)

量程±40A分辨率1.22mA精度±1% 讀數值±20mA

量程±4A分辨率122uA精度±0.5% 讀數值±2mA

量程±400mA分辨率12.2uA精度±0.5% 讀數值±200uA

量程±40mA分辨率1.22uA精度±0.5% 讀數值±20uA

量程±4mA分辨率122nA精度±0.5% 讀數值±2uA

量程±400uA分辨率12.2nA精度±0.5% 讀數值±200nA

量程±40uA分辨率1.22nA精度±1% 讀數值±20nA

（4）電壓測量(MV)

量程±40V分辨率1.22mV精度±1% 讀數值±20mV

量程±20V分辨率122uV 精度±0.5% 讀數值±2mV

量程±10V分辨率12.2uV 精度±0.5% 讀數值±200uV

量程±5V分辨率1.22uV 精度±0.5% 讀數值±20uV

5.2、數據采集部分（VM）

16位ADC，1M/S采樣速率

（1）電壓測量(MV)

量程±2000V分辨率30.5mV精度±0.5%讀數值±200mV

量程±1000V分辨率15.3mV精度±0.2%讀數值±20mV

量程±100V分辨率1.53mV精度±0.1%讀數值±10mV

量程±10V分辨率153uV精度±0.1%讀數值±5mV

量程±1V分辨率15.3uV精度±0.1%讀數值±2mV

量程±0.1V分辨率1.53uV精度±0.2%讀數值±2mV

（2）漏電流測量(MI)

量程±100mA分辨率1.53uA精度±0.2%讀數值±100uA

量程±10mA分辨率153nA精度±0.1%讀數值±3uA

量程±1mA分辨率15.3nA精度±0.1%讀數值±300nA

量程±100uA分辨率1.53nA精度±0.1%讀數值±100nA

量程±10uA分辨率153pA精度±0.1%讀數值±20nA

量程±1uA 分辨率15.3pA精度±0.5%讀數值±5nA

量程±100nA分辨率1.53pA精度±0.5%讀數值±0.5nA

（3）電容容量測量(MC)

量程6nF分辨率10PF精度±5%讀數值±50PF

量程60nF分辨率100PF精度±5%讀數值±100PF

5.3、高壓源（HVS）(基本)12位DAC

（1）加壓(FV)

量程2000V/10mA分辨率30.5mV精度±0.5%設定值±500mV

量程200V/10mA分辨率30.5mV精度±0.2%設定值±50mV

量程40V/50mA分辨率30.5mV精度±0.1%設定值±5mV

（2）加流(FI)：

量程10mA分辨率3.81uA 精度±0.5%設定值±10uA

量程2mA分辨率381nA精度±0.5%設定值±2uA

量程200uA分辨率38.1nA精度±0.5%設定值±200nA

量程20uA分辨率3.81nA精度±0.5%設定值±20nA

量程2uA分辨率381pA精度±0.5%設定值±20nA

STD2000MOSFET參數測試儀能測很多電子元器件（如二極管、三極管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、繼電器等等）產品廣泛的應用在院所高校、封測廠、電子廠.....

關鍵詞：電子元器件溫度計機械手繼電器工作站

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