碲化鋅,硒化鎵太赫茲晶體，應(yīng)用于太赫茲光源與探測器

EKSMA Optics從1983年開始為各個科學(xué)實驗室開發(fā)機械元件，根據(jù)客戶給的圖紙和制造規(guī)格，可提供定制光學(xué)和晶體組件服務(wù)，也有標(biāo)準(zhǔn)品庫存快速現(xiàn)貨交付。EKSMA Optics主要產(chǎn)品為激光器、激光系統(tǒng)和儀器的精密激光組件，為工業(yè)、醫(yī)療、美學(xué)、科學(xué)和國防市場的不同激光和光子應(yīng)用領(lǐng)域的客戶提供服務(wù)。

GaSe,ZnTe太赫茲晶體主要應(yīng)用領(lǐng)域：

       - 太赫茲時域系統(tǒng)

- 太赫茲源晶體

- 中遠(yuǎn)紅外氣體探測

- CO2激光的SHG

- THZ實驗光源

- 太赫茲成像

- 太赫茲發(fā)射器-檢測器系統(tǒng)

EKSMA Optics目前有售用于產(chǎn)生太赫茲頻段輻射的GaSe,ZnTe太赫茲晶體（硒化鎵THz晶體，碲化鋅THz晶體）。ZnTe和GaSe晶體 Eksma具有高損傷閾值，太赫茲ZnTe晶體和GaSe晶體可產(chǎn)生極短且高質(zhì)量的太赫茲脈沖。

110晶向的太赫茲晶體ZnTe通過光學(xué)整流過程產(chǎn)生太赫茲。光學(xué)整流效應(yīng)是一種二階非線性效應(yīng)。脈沖激光照射到非線性介質(zhì)晶體，脈沖激光的各個單色分量之間會在樣品中通過差頻振蕩現(xiàn)象產(chǎn)生一個隨時間變化的電極化場，該電極化場將產(chǎn)生太赫茲。

還可利用110晶向的太赫茲晶體ZnTe基于自由空間電光技術(shù)實現(xiàn)對太赫茲脈沖的探測。在自由空間光電采樣系統(tǒng)里太赫茲光束和線偏振光束在ZnTe太赫茲源內(nèi)共線傳播。太赫茲光束產(chǎn)生的電場會影響ZnTe太赫茲源晶體的復(fù)折射率，最終改變線偏振光，自由光電采樣系統(tǒng)能檢測和放大這種改變并轉(zhuǎn)為更直觀的強度變化來繪制太赫茲脈沖幅度。

讀出完整電場（包括幅度和時延）的能力是太赫茲時域光譜的一大特色。太赫茲ZnTe晶體Eksma還能用于紅外光學(xué)元件基板和真空沉積。ZnTe太赫茲晶體根據(jù)制作厚度的不同分為以下型號：ZnTe-100H，ZnTe-200H，ZnTe-500H，ZnTe-1000H，ZnTe-2000H，ZnTe-3000H。

注： ZnTe太赫茲晶體含有微氣泡，它們在照明晶體的投影中可見。然而，這并不影響太赫茲的產(chǎn)生。我們不接受有關(guān)水晶中存在氣泡的投訴。

使用GaSe晶體Eksma產(chǎn)生的太赫茲能達到41THz的大帶寬。GaSe太赫茲源是負(fù)單軸層狀半導(dǎo)體，擁有62m空間點群的六邊形結(jié)構(gòu)，300K時的帶隙為2.2eV。GaSe太赫茲晶體有著高激光損傷閾值（可達3.7 J/cm2），很大的非線性光學(xué)系數(shù)（54pm/V），比較合適的透明范圍(0.65-18μm)，和足夠低的吸收系數(shù)（α＜0.01cm-1），使其成為寬帶中紅外電磁波產(chǎn)生的重要解決方案。由于使用20fs的飛秒激光源產(chǎn)生和檢測寬帶太赫茲，GaSe太赫茲源制作的太赫茲發(fā)射器-檢測器系統(tǒng)性能被認(rèn)為可以達到與使用太赫茲ZnTe晶體相當(dāng)甚至更好的結(jié)果。使用合適厚度的太赫茲GaSe晶體可以實現(xiàn)對太赫茲波產(chǎn)生和探測系統(tǒng)的頻率選擇。太赫茲GaSe晶體根據(jù)制作厚度的不同分為以下型號：GaSe-10H1,GaSe-30H1,GaSe-100H1,GaSe-500H1,GaSe-1000H1,GaSe-2000H1。

注：由于GaSe太赫茲晶體的解理面為(001)，對該晶體使用有一個很大限制在于質(zhì)軟，易碎。

太赫茲晶體ZnTe,GaSe性能優(yōu)勢：

- 產(chǎn)生太赫茲能達到有非常寬的頻域

- 抗損傷閾值高

- 非線性系數(shù)大

- 多種尺寸可選

- 客戶導(dǎo)向的解決方案

- 接受客戶定制服務(wù)

ZnTe晶體 Eksma規(guī)格參數(shù)：

GaSe晶體 Eksma規(guī)格參數(shù)：