SiTek位敏探測(cè)器PSD，高分辨率，位置非線性±0.1%和±0.3%
適用于所有一維/二維位敏探測(cè)器SiTek的通用數(shù)據(jù)：
- 典型熱漂移：1L(一維)系列為20 ppm/°C，2L(二維)系列為40ppm/°C
- 偏置電壓：5-20V
- 工作溫度：70°C
- 存儲(chǔ)溫度：100°C
一維/二維位敏探測(cè)器SiTek規(guī)格數(shù)據(jù)是在以下條件下測(cè)量的：
- 偏壓=15V
- 溫度23°C
- 位置非線性和熱漂移的測(cè)量范圍為探測(cè)器長(zhǎng)度的80%
- 熱漂移的測(cè)量范圍為23°C至70°C
- 除非另有說明，否則所有數(shù)值均為典型值
- 有關(guān)詳細(xì)數(shù)據(jù)，請(qǐng)參閱各數(shù)據(jù)表
一維/二維位敏探測(cè)器SiTek是在偏置模式下工作，一維位置感應(yīng)探測(cè)器和SiTek二維PSD的位置非線性分別是±0.1%和±0.3%，PSD探測(cè)器主要應(yīng)用于距離和高度測(cè)量、校準(zhǔn)、位置和運(yùn)動(dòng)測(cè)量等。
瑞典SiTek在生產(chǎn)位置感應(yīng)探測(cè)器方面具有幾十年的經(jīng)驗(yàn)，注重分辨率、線性度和品質(zhì)，很受客戶的青睞。位置感應(yīng)探測(cè)器(Position Sensing Detector, PSD)，也叫位置傳感器PSD，是一種光電設(shè)備，可將入射光點(diǎn)轉(zhuǎn)換為連續(xù)的位置數(shù)據(jù)。一維/二維位敏探測(cè)器SiTek具有分辨率高、響應(yīng)速度快、線性度好的特點(diǎn)，適用于各種光強(qiáng)，而且操作電路簡(jiǎn)單。
SiTek探測(cè)器主要有兩種類型：一維和二維。SiTek位敏探測(cè)器PSD根據(jù)側(cè)面效應(yīng)光電二極管原理工作，具有出色的位置分辨率。PSD位敏探測(cè)器(一維/二維)分辨率由系統(tǒng)信噪比決定，而且是在偏置模式下工作。另外，SiTek還可提供特殊的紫外UV或YAG增強(qiáng)型和核型版本(Nuclear versions)。
圖1：PSD位敏探測(cè)器(一維/二維)圖示
SiTek位敏探測(cè)器PSD的特點(diǎn)：
- 將光點(diǎn)或輻射點(diǎn)的位置轉(zhuǎn)換為信號(hào)電流
- PSD探測(cè)器具備出色的位置分辨率和線性度
- 光譜響應(yīng)范圍廣
- 可在各種光照或輻射強(qiáng)度下工作
- 響應(yīng)時(shí)間短
- 同時(shí)測(cè)量光或輻射強(qiáng)度的位置
- 不受光點(diǎn)或輻射點(diǎn)聚焦的影響
- 動(dòng)態(tài)范圍廣
SiTek位敏探測(cè)器PSD的應(yīng)用：
- 距離和高度測(cè)量
- 校準(zhǔn)、位置運(yùn)動(dòng)測(cè)量和振動(dòng)研究
- 非接觸式距離測(cè)量系統(tǒng)（三角測(cè)量法）
- 校準(zhǔn)和表面水平測(cè)量
- 定位和運(yùn)動(dòng)測(cè)量系統(tǒng)
- 光學(xué)光譜分析儀
- 三維機(jī)器視覺（輪廓映射）
- 角度測(cè)量系統(tǒng)
一維位敏探測(cè)器(1-dimensional PSD)快速參考數(shù)據(jù)規(guī)格表：
- 位置非線性：±0.1%
- 探測(cè)器電阻：50kohm
| Part.NO | 型號(hào) | 有效面積(mm) | 漏電流(nA) Leakage current | Noise干擾電流pA/Hz | 電容(pF) | 上升時(shí)間(10-90%)(µs) | 標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
| S1-0001 | 1L2.5_CP2 | 2.5x0.6 | 2 | 0.4 | 1.6 | 0.03 | 14針 DIL |
| S1-0065 | 1L2.5_CP1 | 2.5x0.6 | 2 | 0.4 | 1.6 | 0.03 | 4針 DIL |
| S1-0003 | 1L5_CP2 | 5.0x1.0 | 4 | 0.4 | 5 | 0.05 | 14針 DIL |
| S1-0009 | 1L5_CP1 | 5.0x1.0 | 4 | 0.4 | 5 | 0.05 | 4針 DIL |
| S1-0005 | 1L10_CP2 | 10x2 | 8 | 0.4 | 15 | 0.2 | 14針 DIL |
| S1-0236 | 1L10_SU70 | 10x2 | 8 | 0.4 | 15 | 0.2 | SMD |
| S1-0006 | 1L20_CP3 | 20x3 | 60 | 0.5 | 45 | 0.5 | 22針 DIL |
| S1-0007 | 1L30_SU2 | 30x4 | 150 | 0.7 | 90 | 1 | 基底 |
| S1-0247 | 1L45_SU69 | 45x3 | 110 | 0.4 | 105 | 2.7 | 基底 |
| S1-0248 | 1L60_SU34 | 60x3 | 150 | 0.4 | 135 | 4.5 | 基底 |
消除雜散光的SiTek一維PSD：
- 位置非線性：±0.1%
- 探測(cè)器電阻：200kohm
| Part.NO | 型號(hào) | 有效面積(mm) | 漏電流(nA) Leakage current | Noise干擾電流pA/Hz | 電容(pF) | 上升時(shí)間(10-90%)(µs) | 標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
| S1-0090 | 1L5NT_CP1 | 5x0.25 | 4 | 0.3 | 5 | 0.25 | 4針 DIL |
| S1-0066 | 1L5NT_CP2 | 5x0.25 | 4 | 0.3 | 5 | 0.25 | 14針 DIL |
| S1-0067 | 1L10NT_CP2 | 10x0.5 | 8 | 0.3 | 15 | 0.7 | 14針 DIL |
帶有增強(qiáng)UV響應(yīng)的SiTek一維位置感應(yīng)探測(cè)器:
| Part.NO | 型號(hào) | 有效面積(mm) | 漏電流(nA) Leakage current | Noise干擾電流pA/Hz | 電容(pF) | 上升時(shí)間(10-90%)(µs) | 標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
| S1-0072 | 1L2.5UV_CP2 | 2.5x0.6 | 2 | 0.4 | 1.6 | 0.03 | 14針 DIL |
| S1-0032 | 1L5UV_CP2 | 5x1 | 4 | 0.4 | 5 | 0.05 | 14針 DIL |
| S1-0073 | 1L10UV_CP2 | 10x2 | 8 | 0.4 | 15 | 0.2 | 14針 DIL |
| S1-0074 | 1L20UV_CP3 | 20x3 | 50 | 0.5 | 45 | 0.5 | 14針 DIL |
| S1-0034 | 1L30UV_SU2 | 30x4 | 150 | 0.5 | 90 | 1 | 基底 |
二維位敏探測(cè)器(2-dimensional PSD)快速參考數(shù)據(jù)規(guī)格表：
- 位置非線性：±0.3%
- 探測(cè)器電阻：10kohm
| Part.NO | 型號(hào) | 有效面積(mm) | 漏電流(nA) Leakage current | Noise干擾電流pA/Hz | 電容(pF) | 上升時(shí)間(10-90%)(µs) | 標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
| S2-0001 | 2L2_MP1 | 2x2 | 50 | 1.3 | 7 | 0.03 | TO-8 |
| S2-0032 | 2L2_CP4 | 2x2 | 50 | 1.3 | 7 | 0.03 | 4針 陶瓷 |
| S2-0002 | 2L4_MP1 | 4x4 | 50 | 1.3 | 20 | 0.08 | TO-8 |
| S2-0024 | 2L4_CP5 | 4x4 | 50 | 1.3 | 20 | 0.08 | 4-陶瓷 |
| S2-0184 | 2L4_SU71 | 4x4 | 50 | 1.3 | 20 | 0.08 | SMD |
| S2-0003 | 2L10_SU7 | 10x10 | 100 | 1.3 | 90 | 0.4 | 基底 |
| S2-0033 | 2L10_CP6 | 10x10 | 100 | 1.3 | 90 | 0.4 | 4針 陶瓷 |
| S2-0185 | 2L10_SU72 | 10x10 | 100 | 1.3 | 90 | 0.4 | SMD |
| S2-0004 | 2L20_SU9 | 20x20 | 200 | 1.5 | 360 | 1.6 | 基底 |
| S2-0023 | 2L20_CP7 | 20x20 | 200 | 1.5 | 360 | 1.6 | 4針 陶瓷 |
| S2-0196 | 2L45_SU24 | 45x45 | 400 | 1.5 | 1600 | 7.0 | 基底 |
帶有增強(qiáng)UV響應(yīng)的SiTek二維PSD：
| Part.NO | 型號(hào) | 有效面積(mm) | 漏電流(nA) Leakage current | Noise干擾電流pA/Hz | 電容(pF) | 上升時(shí)間(10-90%)(µs) | 標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
| S2-0030 | 2L2UV_MP1 | 2 x 2 | 50 | 1.3 | 7 | 0.03 | TO-8 |
| S2-0006 | 2L4UV_MP1 | 4 x 4 | 50 | 1.3 | 20 | 0.08 | TO-8 |
| S2-0016 | 2L10UV_SU7 | 10 x 10 | 100 | 1.3 | 90 | 0.4 | 基底 |
| S2-0034 | 2L20UV_SU9 | 20 x 20 | 200 | 1.5 | 360 | 1.6 | 基底 |
