LAM RESEARCH刻蝕系統(tǒng)TCP 9400最初設(shè)計(jì)用于生產(chǎn)多晶硅蝕刻。端點(diǎn)檢測(cè)和高選擇性蝕刻工藝允許在非常薄的底層氧化層上停止。LAM RESEARCH刻蝕系統(tǒng)TCP 9400已使用多種氣體重新配置，并已證明對(duì)蝕刻一系列全面的材料是有效的。這種廣泛的氣體列表還允許對(duì)單個(gè)材料的蝕刻特性進(jìn)行重大裁剪。LAM RESEARCH刻蝕系統(tǒng)TCP 9400還允許定制和自動(dòng)化每個(gè)配方的清潔和調(diào)節(jié)過程，以減少過程交叉污染的可能性。目前，用戶可以蝕刻硅基材料、III-Vs、金屬和有機(jī)材料。亞微米特征的蝕刻深度通常為1或2微米。一些材料具有50nm的特征或3微米的深度（不是同時(shí)）。
功能特性：
?配置為6“晶片，較小的樣品可安裝在6”載體晶片上
?TCP感應(yīng)射頻等離子體源-1000瓦
?單獨(dú)偏置射頻電源–1000瓦
?所有干式泵送系統(tǒng)
?晶片的靜電夾緊
?溫控卡盤–40℃至80℃
?工藝壓力范圍：5mT至300mT
?通過背面氦氣壓力和冷卻卡盤冷卻晶片
?加熱室
?入口和出口負(fù)載鎖室
?磁帶到磁帶
?氣體：HBr、Cl2、O2、SF6、C2F6、He、Ar、CH4、H2
?材料：Si、Si3N4、SiO2、玻璃、III-Vs、金屬、有機(jī)物
