LAM RESEARCH刻蝕系統TCP 9400最初設計用于生產多晶硅蝕刻。端點檢測和高選擇性蝕刻工藝允許在非常薄的底層氧化層上停止。LAM RESEARCH刻蝕系統TCP 9400已使用多種氣體重新配置，并已證明對蝕刻一系列全面的材料是有效的。這種廣泛的氣體列表還允許對單個材料的蝕刻特性進行重大裁剪。LAM RESEARCH刻蝕系統TCP 9400還允許定制和自動化每個配方的清潔和調節過程，以減少過程交叉污染的可能性。目前，用戶可以蝕刻硅基材料、III-Vs、金屬和有機材料。亞微米特征的蝕刻深度通常為1或2微米。一些材料具有50nm的特征或3微米的深度（不是同時）。
功能特性：
?配置為6“晶片，較小的樣品可安裝在6”載體晶片上
?TCP感應射頻等離子體源-1000瓦
?單獨偏置射頻電源–1000瓦
?所有干式泵送系統
?晶片的靜電夾緊
?溫控卡盤–40℃至80℃
?工藝壓力范圍：5mT至300mT
?通過背面氦氣壓力和冷卻卡盤冷卻晶片
?加熱室
?入口和出口負載鎖室
?磁帶到磁帶
?氣體：HBr、Cl2、O2、SF6、C2F6、He、Ar、CH4、H2
?材料：Si、Si3N4、SiO2、玻璃、III-Vs、金屬、有機物
