SAMACO ICP蝕刻設(shè)備RIE-800iPC，具有優(yōu)良工藝再現(xiàn)性的生產(chǎn)設(shè)備它是一種使用感應(yīng)耦合等離子體作為放電類型的高密度等離子體蝕刻設(shè)備。該裝置是配備真空盒式室的正式生產(chǎn)裝置，具有優(yōu)異的工藝再現(xiàn)性和穩(wěn)定性。
主要特點和優(yōu)點
新的ICP源 "HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil"。
可高效穩(wěn)定地應(yīng)用高射頻功率（2千瓦以上），并實現(xiàn)良好的均勻性。
大流量排氣系統(tǒng)
排氣系統(tǒng)直接連接到反應(yīng)室，可以實現(xiàn)從小流量和低壓范圍到大流量和高壓范圍的廣泛工藝窗口。
下電極升降機構(gòu)
晶片和等離子體之間的距離經(jīng)過優(yōu)化，以確保良好的平面內(nèi)均勻性。
易于維護的設(shè)計
TMP(渦輪分子泵)集成在設(shè)備中，便于更換。
應(yīng)用
GaN、GaAs、InP等化合物半導(dǎo)體的高精度加工。
SiC、SiO?的高速加工。
蝕刻鐵電材料（PZT、BST、SBT、SBT）、電極材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他難以蝕刻的材料。
復(fù)合式半導(dǎo)體晶片的等離子切割和薄型化。
