技術數據
除另行說明外，所有技術規格均受保證。
型號概述
| 模塊 | 應用 | 帶寬 1 | 通道 | 輸入阻抗 | 輸入連接器 |
|---|---|---|---|---|---|
| 80E11 80E11X1 | 高頻低噪聲信號采集和抖動檢定 | 70/60/(40) GHz 2 | 2/1 | 50 ±1.0 Ω | 1.85 mm 插孔 |
| 80E10B | 真正差分 TDR，S 參數和故障隔離 | 50/40/(30) GHz 2 | 2 | 50 ±1.0 Ω | 1.85 mm 插孔 |
| 80E09B | 高頻低噪聲信號采集和抖動檢定 | 60/40/(30) GHz 2 | 2 | 50 ±1.0 Ω | 1.85 mm 插孔 |
| 80E08B | 真正差分 TDR 和 S 參數 | 30/(20) GHz 2 | 2 | 50 ±1.0 Ω | 2.92 mm 插孔 |
| 80E07B | 用噪聲/性能換取*佳抖動檢定 | 30/(20) GHz 2 | 2 | 50 ±1.0 Ω | 2.92 mm 插孔 |
| 80E04 | TDR 阻抗和串擾檢定 | 20 GHz 3 | 2 | 50 ±0.5 Ω | 3.5 mm 插孔 |
| 80E03 80E03-NV | 設備檢定 | 20 GHz 4 | 2 | 50 ±0.5 Ω | 3.5 mm 插孔 |
1正常文本表示有保證值。括號里的值是典型（無保證）值，表示儀器的典型性能。
2用戶可選擇。
3根據 0.35 帶寬上升時間乘積而計算出。
480E03 帶寬根據 0.35 帶寬上升時間乘積而計算出。80E03-NV 帶寬經過直接驗證。
80E11、80E11X1
- 上升時間
- 5 ps（根據 0.35 帶寬上升時間乘積而計算出）
- 動態范圍
- 800 mVp-p
- 偏置范圍
- ±1.1 V
- *大工作電壓
- ±1.1 V
- *大無損電壓，DC + ACp-p
- 2.0 V
- 垂直數字化位數
- 16 位滿刻度
- 垂直靈敏度范圍
- 8 mV 至 800 mV 滿刻度
- 直流垂直電壓精度，單點，在 ±2 °C 補償溫度范圍內
- ±2 mV
± 0.007 *（偏置）
± 0.02 *（垂直值 - 偏置）
- 階躍響應異常（典型值）
- 對于波帶 10 ns 至階躍過渡前的 20 ps，為 ±1% 或以下
對于階躍過渡后的頭 400 ps，為 +6%，–10% 或以下
對于波帶 400 ps 至階躍過渡后的 3 ns，為 +0%，–4% 或以下
對于波帶 3 ns 至階躍過渡后的 100 ns，為 +1%，–2% 或以下
對于階躍過渡后的 100 ns，為 ±1%
- *大 RMS 噪聲（無保證，典型值）
-
70 GHz：≤1100 μV (950 μV)
60 GHz：≤600 μV (450 μV)
40 GHz：≤480 μV (330 μV)
括號里的值是典型值，表示儀器的正常性能。
80E10B
- 上升時間
- 7 ps（根據 0.35 帶寬上升時間乘積而計算出）
- 動態范圍
- 1.0 Vp-p
- 偏置范圍
- ±1.1 V
- *大工作電壓
- ±1.1 V
- *大無損電壓，DC + ACp-p
- 2.0 V
- 垂直數字化位數
- 16 位滿刻度
- 垂直靈敏度范圍
- 10 mV 至 1.0 v 滿刻度
- 直流垂直電壓精度，單點，在 ±2 °C 補償溫度范圍內
- ±2 mV
± 0.007 *（偏置）
± 0.02 *（垂直值 - 偏置）
- 階躍響應異常（典型值）
- 對于波帶 10 ns 至階躍過渡前的 20 ps，為 ±1% 或以下
對于階躍過渡后的頭 400 ps，為 +6%，–10% 或以下
對于波帶 400 ps 至階躍過渡后的 3 ns，為 +0%，–4% 或以下
對于波帶 3 ns 至階躍過渡后的 100 ns，為 +1%，–2% 或以下
對于階躍過渡后的 100 ns，為 ±1%
- *大 RMS 噪聲（無保證，典型值）
-
50 GHz：≤700 μV (600 μV)
40 GHz：≤480 μV (370 μV)
30 GHz：≤410 μV (300 μV)
括號里的值是典型值，表示儀器的正常性能。
- TDR 階躍幅度
- 250 mV（兩種階躍的極性都可反相）
- TDR 系統反射上升時間
- 15 ps
- TDR 系統入射上升時間
- 12 ps
- TDR 階躍相差校正范圍
- ±250 ps
- TDR 采樣器相差校正范圍
- ±250 ps
- TDR 階躍*大重復率
- 300 kHz
此模塊在 DSA8200、TDS/CSA8200、TDS/CSA800B 或 TDS/CSA8000 主機中使用時，TDR 階躍*大重復率為 200 kHz
80E09B
- 上升時間
- 5.8 ps（根據 0.35 帶寬上升時間乘積而計算出）
- 動態范圍
- 1.0 Vp-p
- 偏置范圍
- ±1.1 V
- *大工作電壓
- ±1.1 V
- *大無損電壓，DC + ACp-p
- 2.0 V
- 垂直數字化位數
- 16 位滿刻度
- 垂直靈敏度范圍
- 10 mV 至 1.0 v 滿刻度
- 直流垂直電壓精度，單點，在 ±2 °C 補償溫度范圍內
- ±2 mV
± 0.007 *（偏置）
± 0.02 *（垂直值 - 偏置）
- 階躍響應異常（典型值）
- 對于波帶 10 ns 至階躍過渡前的 20 ps，為 ±1% 或以下
對于階躍過渡后的頭 400 ps，為 +6%，–10% 或以下
對于波帶 400 ps 至階躍過渡后的 3 ns，為 +0%，–4% 或以下
對于波帶 3 ns 至階躍過渡后的 100 ns，為 +1%，–2% 或以下
對于階躍過渡后的 100 ns，為 ±1%
- *大 RMS 噪聲（無保證，典型值）
- 60 GHz：≤600 μV (450 μV)
40 GHz：≤480 μV (330 μV)
30 GHz：≤410 μV (300 μV)
括號里的值是典型值，表示儀器的正常性能。
80E08B
- 上升時間
- 11.7 ps（根據 0.35 帶寬上升時間乘積而計算出）
- 動態范圍
- 1.0 Vp-p
- 偏置范圍
- ±1.1 V
- *大工作電壓
- ±1.1 V
- *大無損電壓，DC + ACp-p
- 2.0 V
- 垂直數字化位數
- 16 位滿刻度
- 垂直靈敏度范圍
- 10 mV 至 1.0 v 滿刻度
- 直流垂直電壓精度，單點，在 ±2 °C 補償溫度范圍內
- ±2 mV
± 0.007 *（偏置）
± 0.02 *（垂直值 - 偏置）
- 階躍響應異常（典型值）
- 對于波帶 10 ns 至階躍過渡前的 20 ps，為 ±1% 或以下
對于階躍過渡后的頭 400 ps，為 +6%，–10% 或以下
對于波帶 400 ps 至階躍過渡后的 3 ns，為 +0%，–4% 或以下
對于波帶 3 ns 至階躍過渡后的 100 ns，為 +1%，–2% 或以下
對于階躍過渡后的 100 ns，為 ±1%
- *大 RMS 噪聲（無保證，典型值）
-
30 GHz：≤410 μV (300 μV)
20 GHz：≤380 μV (280 μV)
括號里的值是典型值，表示儀器的正常性能。
- TDR 階躍幅度
- 250 mV（兩種階躍的極性都可反相）
- TDR 系統反射上升時間
- 20 ps
- TDR 系統入射上升時間
- 18 ps
- TDR 階躍相差校正范圍
- ±250 ps
- TDR 采樣器相差校正范圍
- ±250 ps
- TDR 階躍*大重復率
- 300 kHz
此模塊在 DSA8200、TDS/CSA8200、TDS/CSA800B 或 TDS/CSA8000 主機中使用時，TDR 階躍*大重復率為 200 kHz
80E07B
- 上升時間
- 11.7 ps（根據 0.35 帶寬上升時間乘積而計算出）
- 動態范圍
- 1.0 Vp-p
- 偏置范圍
- ±1.1 V
- *大工作電壓
- ±1.1 V
- *大無損電壓，DC + ACp-p
- 2.0 V
- 垂直數字化位數
- 16 位滿刻度
- 垂直靈敏度范圍
- 10 mV 至 1.0 v 滿刻度
- 直流垂直電壓精度，單點，在 ±2 °C 補償溫度范圍內
- ±2 mV
± 0.007 *（偏置）
± 0.02 *（垂直值 - 偏置）
- 階躍響應異常（典型值）
- 對于波帶 10 ns 至階躍過渡前的 20 ps，為 ±1% 或以下
對于階躍過渡后的頭 400 ps，為 +6%，–10% 或以下
對于波帶 400 ps 至階躍過渡后的 3 ns，為 +0%，–4% 或以下
對于波帶 3 ns 至階躍過渡后的 100 ns，為 +1%，–2% 或以下
對于階躍過渡后的 100 ns，為 ±1%
- *大 RMS 噪聲（無保證，典型值）
-
30 GHz：≤410 μV (300 μV)
20 GHz：≤380 μV (280 μV)
括號里的值是典型值，表示儀器的正常性能。
80E04
- 上升時間
- ≤17.5 ps（根據 0.35 帶寬上升時間乘積而計算出）
- 動態范圍
- 1.0 Vp-p
- 偏置范圍
- ±1.6 V
- *大工作電壓
- ±1.6 V
- *大無損電壓，DC + ACp-p
- 3.0 V
- 垂直數字化位數
- 16 位滿刻度
- 垂直靈敏度范圍
- 10 mV 至 1.0 v 滿刻度
- 直流垂直電壓精度，單點，在 ±2 °C 補償溫度范圍內
- ±2 mV
± 0.007 *（偏置）
± 0.02 *（垂直值 - 偏置）
- 階躍響應異常（典型值）
- 對于波帶 10 ns 至階躍過渡前的 20 ps，為 ±3% 或以下
對于階躍過渡后的頭 300 ps，為 +10%，-5% 或以下
對于波帶 300 ps 至階躍過渡后的 5 ns，為 3% 或以下
對于波帶 5 ns 至階躍過渡后的 100 ns，為 ±1% 或以下
對于階躍過渡后的 100 ns，為 ±0.5%
- *大 RMS 噪聲（無保證，典型值）
- 20 GHz：≤1.2 mV (600 µV)
括號里的值是典型值，表示儀器的正常性能。
- TDR 階躍幅度
- 250 mV（兩種階躍的極性都可反相）
- TDR 系統反射上升時間
- 28 ps
- TDR 系統入射上升時間
- 23 ps
- TDR 階躍相差校正范圍
- ±50 ps
- TDR 采樣器相差校正范圍
- +100 ns，–500 ps（僅校正插槽相差）
- TDR 階躍*大重復率
- 300 kHz
此模塊在 DSA8200、TDS/CSA8200、TDS/CSA800B 或 TDS/CSA8000 主機中使用時，TDR 階躍*大重復率為 200 kHz
80E03、80E03-NV
- 上升時間
- ≤17.5 ps（根據 0.35 帶寬上升時間乘積而計算出）
- 動態范圍
- 1.0 Vp-p
- 偏置范圍
- ±1.6 V
- *大工作電壓
- ±1.6 V
- *大無損電壓，DC + ACp-p
- 3.0 V
- 垂直數字化位數
- 16 位滿刻度
- 垂直靈敏度范圍
- 10 mV 至 1.0 v 滿刻度
- 直流垂直電壓精度，單點，在 ±2 °C 補償溫度范圍內
- ±2 mV
± 0.007 *（偏置）
± 0.02 *（垂直值 - 偏置）
- 階躍響應異常（典型值）
- 對于波帶 10 ns 至階躍過渡前的 20 ps，為 ±3% 或以下
對于階躍過渡后的頭 300 ps，為 +10%，-5% 或以下
對于波帶 300 ps 至階躍過渡后的 5 ns，為 3% 或以下
對于波帶 5 ns 至階躍過渡后的 100 ns，為 ±1% 或以下
對于階躍過渡后的 100 ns，為 ±0.5%
- *大 RMS 噪聲（無保證，典型值）
- 20 GHz：≤1.2 mV (600 µV)
括號里的值是典型值，表示儀器的正常性能。
物理特點
| 寬度 | 高度 | 厚度 | 重量 | |
|---|---|---|---|---|
| 80E11 80E11X1 80E04 80E03 80E03-NV | 79.0 mm (3.1 in) | 25.0 mm (1.0 in) | 135 mm (5.3 in) | 0.4 kg (0.87 lb) |
| 80E10B 80E09B 80E08B 80E07B 1 | 55 mm (2.2 in) | 25.0 mm (1.0 in) | 75 mm (3.0 in) | 0.175 kg (0.37 lb) |
180E10B、80E09B、80E08B 和 80E07B 的遠程采樣器模塊特點
