水銀CV測量SEMILAB全自動汞CV測量MCV-2200
全自動汞CV測量裝置MCV-2200, MCV-2500,水銀CV測量裝置MCV系列MCV-530、MCV-530L,彈性金屬探頭CV測量裝置FCV-3000,非接觸式CV測量裝置Cn-CV 300-SL,Cn-CV 310/210 CV/IV,Cn-CV 330/230 CV/IV,Cn-CV 350 CV/IV,CV-1500,自動壽
水銀CV測量SEMILAB全自動汞CV測量MCV-2200
水銀CV測量SEMILAB全自動汞CV測量MCV-2200
全自動汞CV測量裝置MCV-2200, MCV-2500,水銀CV測量裝置MCV系列MCV-530、MCV-530L,彈性金屬探頭CV測量裝置FCV-3000,非接觸式CV測量裝置Cn-CV 300-SL,Cn-CV 310/210 CV/IV,Cn-CV 330/230 CV/IV,Cn-CV 350 CV/IV,CV-1500,自動壽命測量裝置WT系列WT-2200, WT-2500, WT-3000
產(chǎn)品介紹
CV測量裝置 Mercury probe MCV是一種可以評估半導(dǎo)體硅晶片和化合物半導(dǎo)體SiC的電氣特性以及MOS器件的氧化膜特性的裝置。在一般的CV測量設(shè)備中，poly-Si、Al等被氣相沉積在晶圓上作為柵電極，形成MOS和肖特基結(jié)構(gòu)后評估CV/IV特性。可以很容易地檢查,而不需要MCV 自動映射系統(tǒng)對用于外延硅制造和半導(dǎo)體前端處理的未圖案化晶圓執(zhí)行汞 CV 測量。
在 MCV-2200 和 MCV-2500 中，晶圓被機(jī)器人從盒式磁帶或開放式 FOUP 裝載到映射臺上。在執(zhí)行電氣特性測試時，測試晶圓被移動到預(yù)編程地圖上的每個位置。測試數(shù)據(jù)以各種格式存儲和報告。
MCV-530 系統(tǒng)允許使用汞探針對介電層和外延層進(jìn)行快速可靠的測試，使其成為研發(fā)和小批量生產(chǎn)等應(yīng)用的理想選擇。
MCV-530/530L 是手動加載設(shè)備，但具有與自動 MCV-2200/2500 產(chǎn)品相同的測量功能。
FCV-3000 高級植入計量系統(tǒng)可快速測量與電介質(zhì)相關(guān)的電氣參數(shù)，例如柵極氧化物和超淺植入物（例如源極/漏極）。該方法在很寬的劑量范圍內(nèi)表現(xiàn)出出色的靈敏度。
FCV 系統(tǒng)使用小型彈性探針在電介質(zhì)表面形成臨時柵極。內(nèi)置模式識別系統(tǒng)檢測劃線測試區(qū)域。
彈性探頭直徑小于 30 µm 用于介電表征，大于 200 µm 用于表面電阻率測量，并且不會損壞介電表面。
除了彈性探針外，還有用于1針測量的硬金屬探針和用于2針測量的硬金屬探針對，以實(shí)現(xiàn)更精確的定位。
Cn-CV 300 SL 系統(tǒng)是先進(jìn)的非接觸式電氣計量系統(tǒng)，將 Semilab SDI 的微觀和宏觀 Corona-Kelvin 方法集成在一個平臺中，提供先進(jìn)的它可以支持研究和開發(fā)以及苛刻的大批量生產(chǎn)環(huán)境。
Cn-CV 310/210 CV/IV 系統(tǒng)基于Corona-Kelvin的 方法提供 Semilab SDI 高級 CV/IV 測量，用于監(jiān)測晶圓上的介電和界面特性的非接觸式成像。
Cn-CV 330/230 CV/IV 系統(tǒng)基于Corona-Kelvin的 方法提供 Semilab SDI 高級 CV/IV 測量，用于監(jiān)測晶圓上的介電和界面特性的非接觸式成像。
Cn-CV 350 CV/IV 系統(tǒng)基于Corona-Kelvin的 方法提供 Semilab SDI 高級 CV/IV 測量，用于介電和界面特性的非接觸成像。
CV-1500 是用于高級界面和介電測量的低成本入門級平臺（基于 Semilab SDI 的 Corona-Kelvin 方法）。手動加載和單點(diǎn)測量功能適用于研發(fā)和實(shí)驗(yàn)室環(huán)境。
自動壽命測量裝置WT系列:WT 系列是一個功能強(qiáng)大的獨(dú)立測量平臺，能夠執(zhí)行許多不同的半導(dǎo)體材料表征。基本系統(tǒng)包括執(zhí)行表征所需的所有間接功能，包括電源、計算機(jī)、操作軟件和 XY 測量臺。
