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超高真空電子束蒸鍍設備 UHV E-beam Evaporation System
超高真空環境的特征為其真空壓力低于 10-8至10-12 Torr, 在化學物理和工程領域十分常見. 超高真空環境對于科學研究非常重要, 因為實驗通常要求, 在整個實驗過程中, 表面應保持無污染狀態和使用較低能量的電子和離子的實驗技術的使用, 而不會受到氣相散射的過度干擾. 在這樣超高真空環境下使用電子束蒸鍍,
上海伯東代理 SYSKEY 中國臺灣矽碁科技超高真空電子束蒸鍍設備腔體極限真空度約為 10-10Torr, 針對超高真空和高溫加熱設計基板旋轉鍍膜機構, 使用陶瓷培林旋轉, 并在內部做水冷循環來保護機構以確保長時間運轉的穩定性, 可以提供高質量的薄膜, 薄膜均勻度小于 ±3％.
超高真空電子束蒸鍍配置和優點
客制化的基板尺寸, z大直徑可達 8吋晶圓
薄膜均勻度小于 ±3％
具有水冷坩堝的多組坩鍋旋轉電子束源 (1/2/4/6坩堝）
自動鍍膜系統
具有順序操作或共沉積的多個電子束源
基板具有冷卻 ( 液態氮溫度低至-70°C ) 或加熱 ( 溫度z高800°C ) 等功能
電子束蒸鍍設備基本參數
系統 | Real 超高真空 | 超高真空 | 高真空 |
極限真空 | 5X10-10 Torr | 5X10-9 Torr | 3X10-7 Torr |
腔室密封 | 全部 CF | 一些密封圈 | 全部密封圈 |
Load-lock | 標準 | 標準 | 可選 |
E-beam 源 | 4-6 坩堝 | 4-6 坩堝 | 4-6 坩堝 |
基板 | 4-8 英寸 | 4-8 英寸 | 4-8 英寸 |
真空泵 | 低溫泵 | 低溫泵 / 分子泵 | 低溫泵 / 分子泵 |
監控 | 真空規 和 QCM | 真空規 和 QCM | 真空規 和 QCM |
工藝控制 | 速率控制 | 速率控制 | 速率控制 |
供氣 | 氮氣 | 氮氣 | 氮氣 |
腔體
客制化的腔體尺寸取決于基板尺寸和其應用
腔體為使用金屬密封圈并可烘烤至 150°C
腔體的極限真空度約為 10-10Torr
選件
可以與傳送腔, 機械手臂和手套箱整合在一起
結合美國 KRi 離子源, 濺鍍槍, 熱蒸發源, 等離子清潔...
應用領域
光學材料研究 (LED / Laser Diode)
光電元件
半導體元件
對傳統熱蒸發技術難以實現的材料蒸發, 可采用電子束蒸發的方式來實現. 不同于傳統的輻射加熱和電阻絲加熱, 高能電子束轟擊可實現超過 3000℃ 的局域高溫, 這使得絕大部分常用材料都可以被蒸發出來, 甚至是高熔點的材料, 例如, Pt, W, Mo, Ta 以及一些氧化物, 陶瓷材料等. 上海伯東代理的電子束蒸發源可承載 1-6種不同的材料, 實現多層膜工藝; 蒸發源本身防污染設計, 使得不同材料之間的交叉污染降到盡可能低.
若您需要進一步的了解電子束蒸鍍設備詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式
上海伯東: 羅先生
