性能指標

1. SEM分辨率： 0.7nm @ 15kV(COF)、1.0nm @ 15kV 1.0nm @ 1kV(COF)、1.4nm @ 1kV
2. FIB分辨率：2.5nm @ 30kV
3. FIB束流：1pA～50nA
4. 探測器： 樣品室和鏡筒內二次電子探測器 樣品室和鏡筒內背散射電子探測器
5. 質譜質量分辨率：>800
6. 質譜探測極限：3ppm
7. 質譜空間分辨率：40nm(水平方向) 3nm(深度方向)
8. 附件：能譜儀(EDS)、EBSD 

主要應用

1. 該設備在雙束電鏡(SEM/FIB)的基礎上配備了EDS和EBSD，同時還集成了一體化的TOF-SIMS。
2. 該設備不但能進行低電壓超高分辨的電鏡觀察；
3. 也能利用FIB對試樣進行切割、加工、沉積，從事內部和截面觀察及特定圖形加工工作。
4. TOF-SIMS可以進行高空間分辨的質譜分析，可對包含H、Li等傳統EDS無法分析的全元素以及同位素進行分布分析。 

樣品要求

1. 送檢樣品必須為干燥固體、塊狀、片狀、纖維狀及粉末狀均可。
2. 應有一定的化學、物理穩定性，在真空中及電子束轟擊下不會揮發或變形；無磁性、放射性和腐蝕性。
3. 含水分較多的生物軟組織的樣品制備，要求用戶自己進行臨界點干燥之前的固定、清洗、脫水及用醋酸（異）戊酯置換等處理，最后由本室進行臨界點干燥處理。
4. 觀察圖像樣品應預先噴金膜。
5. 一般情況下，樣品盡量小塊些（≤10x10x5mm較方便）。
6. 粉末樣品每個需1克左右。
7. 納米樣品一般需超聲波分散，并鍍鉑金膜。 

儀器說明

1. 超高分辨率的電鏡適合多種試樣的極限觀察；
2. 超高分辨率的FIB可以進行精確的試樣加工，尤適合制備定區域TEM薄片；
3. TOF-SIMS有著遠勝于EDS的空間分辨率；
4. 元素深度剖析有著非常高的Z方向分辨率，非常適合薄膜分析；
5. 具有ppm級的探測靈敏度；
6. 可進行同位素分析。