- 808nm半導體激光器特性測量
- 808nm半導體激光器電光特性:繪制電光曲線,確定閾值電流和增益斜率。
- 測量半導體激光光譜隨溫度變化的關系:改變激光器溫度,通過光譜儀測量輸出激光波長變化。(選做)
- LD端面泵浦YAG激光器
- 模式匹配技術:觀察泵浦激光光斑與1064nm激光輸出功率的關系。
- 波長匹配:改變808nm激光器波長,觀察1064nm激光輸出功率的改變。
- YAG激光器輸入-輸出效率曲線:改變808nm激光輸出功率,測量1064nm激光輸出功率大小,繪制輸入-輸出功率曲線,并確定閾值功率。
- 倍頻技術
- 激光器橫模的觀察。
- 532nm激光輸出功率與泵浦功率的關系。
- 角度匹配。將KTP晶體放入YAG諧振腔中,旋轉KTP晶體,觀察532nm激光功率的變化情況,找到KTP晶體的匹配角度。
- 選做內容
- 調Q技術:將調Q材料放入YAG諧振腔中,通過示波器觀察1064nm激光的脈沖波形。改變808nm半導體激光器功率,觀察調Q脈寬及頻率的變化。
- 熒光壽命:改變808nm半導體激光器功率,測量調Q材料的熒光壽命。
- 光學實驗導軌: 800mm。
- 溫控半導體激光器:808nm, 2W帶半導體制冷。
- YAG晶體+4自由度調整架, 角度二維+直線二維
- KTP晶體+5自由度調整架,360度可調,最小刻度1度。
- 二維可調準直徑激光器,650nm, 4mW。
采用了較大功率的808nm半導體激光器,使實驗操作相對簡單,現象明顯,采用了半導體制冷器對半導體激光器進行溫度調節和控制,多自由度的調節機構,使實驗操作更加方便。