高精度實時三維分析FIB-SEM三束系統(tǒng) NX9000
追求理想的三維結(jié)構(gòu)分析
通過自動重復(fù)使用FIB制備截面和進行SEM觀察，采集一系列連續(xù)截面圖像，并重構(gòu)特定微區(qū)的三維結(jié)構(gòu)。
采用的鏡筒布局，從*材料、*設(shè)備到生物組織——在寬廣的領(lǐng)域范圍內(nèi)實現(xiàn)傳統(tǒng)機型難以企及的高精度三維結(jié)構(gòu)分析。
特點
規(guī)格
特點
- SEM鏡筒與FIB鏡筒互成直角，形成三維結(jié)構(gòu)分析的鏡筒布局
- 融合高亮度冷場發(fā)射電子槍與高靈敏度檢測系統(tǒng)，從磁性材料到生物組織——支持分析各種樣品
- 通過選配口碑良好的Micro-sampling®系統(tǒng)*和Triple Beam®系統(tǒng)*，可支持制作高品質(zhì)TEM及原子探針樣品
垂直入射截面SEM觀察可忠實反映原始樣品結(jié)構(gòu)
SEM鏡筒與FIB鏡筒互成直角，實現(xiàn)FIB加工截面的垂直入射SEM觀察。
舊型FIB-SEM采用傾斜截面觀察方式，必定導(dǎo)致截面SEM圖像變形及采集連續(xù)圖像時偏離視野，直角型結(jié)構(gòu)可避免出現(xiàn)此類問題。
通過穩(wěn)定獲得忠實反映原始結(jié)構(gòu)的圖像，實現(xiàn)高精度三維結(jié)構(gòu)分析。
同時，F(xiàn)IB加工截面（SEM觀察截面）與樣品表面平行，有利于與光學(xué)顯微鏡圖像等數(shù)據(jù)建立鏈接。
樣品：小白鼠腦神經(jīng)細胞
樣品來源：自然科學(xué)研究機構(gòu)/生理學(xué)研究所 窪田芳之 先生
Cut&See/3D-EDS*1/3D-EBSD*1可支持各種材料
Cut&See
從生物組織及半導(dǎo)體到鋼鐵及鎳等磁性材料——支持低加速電壓下的高分辨率和高對比度觀察。
FIB加工與SEM觀察之間切換時，不需要重新設(shè)定條件，可高效率的采集截面的連續(xù)圖像
樣品：鎳
SEM加速電壓：1 kV
加工間距：20 nm
重復(fù)次數(shù)：675次
3D-EDS*1
不僅支持截面SEM圖像，也支持連續(xù)采集一系列截面的元素分布圖像。
通過選配硅漂移式大立體角EDS檢測器*1，可縮短測定時間以及可在低加速電壓下采集元素分布圖像。
樣品：燃料電池電極
SEM加速電壓：5 kV
加工間距：100 nm
重復(fù)次數(shù)：212次
樣品來源：東京大學(xué) 生產(chǎn)技術(shù)研究所 鹿園直毅 教授
3D-EBSD*1
以的方式配置SEM/FIB/EBSD檢測器*1，在FIB加工與EBSD分析之間無需移動樣品臺即可實現(xiàn)3D-EBSD。因為無需移動樣品臺，所以可大幅提高三維晶體取向分析的精度和效率。
樣品：鎳
SEM加速電壓：20 kV
加工間距：150 nm
重復(fù)次數(shù)：150次
- *1：
- 選配
規(guī)格
| 項目 | 內(nèi)容 | |
|---|---|---|
| SEM | 電子源 | 冷場場發(fā)射型 |
| 加速電壓 | 0.1 ～ 30 kV | |
| 分辨率 | 2.1 nm@1 kV | |
| 1.6 nm@15 kV | ||
| FIB | 離子源 | 鎵 |
| 加速電壓 | 0.5 ～ 30 kV | |
| 分辨率 | 4.0 nm@30 kV | |
| 大束流 | 100 nA | |
| 標準探測器 | In-colum二次電子探測器/In-colum背散射電子探測器/ 樣品室二次電子探測器 | |
| 樣品臺 | X | 0 ～ 20 mm *2 |
| Y | 0 ～ 20 mm *2 | |
| Z | 0 ～ 20 mm *2 | |
| θ | 0 ～ 360° *2 | |
| τ | -25 ～ 45° *2 | |
| 大樣品尺寸 | 正方形邊長6 mm × 厚度2 mm | |
- *2：
- 根據(jù)樣品座不同，行程不同
關(guān)聯(lián)產(chǎn)品分類
- 場發(fā)射掃描電子顯微鏡 (FE-SEM)
- 透射電子顯微鏡 (TEM/STEM)
