anderson-negele NVS--061電導(dǎo)式液位開(kāi)關(guān)anderson-negele NVS--061電導(dǎo)式液位開(kāi)關(guān)

Anderson-negele安德森耐格NVS-041, NVS-043, NVS-046的說(shuō)明

在帶有M12衛(wèi)生型螺紋(CLEANadapt)的容器/管道中的電導(dǎo)式限位探測(cè)

傳感器桿可隨意剪短和彎曲

安裝在DN15規(guī)格以上管道中

55mm延長(zhǎng)桿

是帶M12衛(wèi)生型螺紋接口的電導(dǎo)式液位開(kāi)關(guān)

應(yīng)用 · 容器和管道中的液體和導(dǎo)電介質(zhì)液位檢測(cè)（基于某一蕞小電導(dǎo)率）該導(dǎo)電率具體數(shù) 值取決于變送器: 當(dāng)使用外部變送器（如VNV系列或ZNV-Z）時(shí)，蕞小電導(dǎo)率為1 μS/cm； 當(dāng)使用內(nèi)置變送器（如MNV-1C或MNV-M）時(shí)，蕞小電導(dǎo)率為10 μS/cm。

應(yīng)用示例 · 容器（傳感器側(cè)面安裝）或管道的液位檢測(cè) · 容器或儲(chǔ)罐頂部安裝實(shí)現(xiàn)高液位報(bào)警 · 容器或儲(chǔ)罐底部安裝實(shí)現(xiàn)低液位報(bào)警 · 管道介質(zhì)監(jiān)測(cè) · 泵機(jī)/干轉(zhuǎn)保護(hù) · 儲(chǔ)罐液位控制 · 定量給料設(shè)備中的溢出保護(hù)

衛(wèi)生型設(shè)計(jì)/過(guò)程連接 · 使用焊入式套座EMS-032或EHG-.../M12焊座，實(shí)現(xiàn)流量?jī)?yōu)化衛(wèi)生且易消毒的安 裝。 · 無(wú)彈性橡膠密封系統(tǒng)，無(wú)縫*（參見(jiàn)CLEANadapt 產(chǎn)品信息） · CIP/SIP清洗殺菌可耐溫 143 °C/蕞長(zhǎng)120分鐘 · 所有與介質(zhì)直接接觸的部件均符合FDA標(biāo)準(zhǔn) · 傳感器為全不銹鋼材質(zhì)和PEEK，帶PFA涂層 · 多種過(guò)程連接可選（參見(jiàn)CLEANadapt 產(chǎn)品信息），如卡盤， 乳品法蘭 (DIN 11851)，Varivent ... · 符合3-A衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)74-05

特點(diǎn) · 預(yù)留電纜入口位置 · 可選集成液位變送器 · 提供各種電氣連接接頭 · 傳感器棒可根據(jù)需要剪短或扭曲 · 緊湊外殼，適合管徑DN15以上的管道 · *模制設(shè)計(jì)可避免冷凝

選項(xiàng)/附件 · 可選高溫版（帶100mm套管，適用于高達(dá)140 °C的固定過(guò)程溫度） · 固定電纜可選不同長(zhǎng)度

傳感器 NVS-, -061, -063, -066, 符合3-A標(biāo)準(zhǔn)。
· 傳感器設(shè)計(jì)能實(shí)現(xiàn)蕞高溫度150 °C的CIP / SIP清洗殺菌，持續(xù)時(shí)間120分鐘。
· 僅允許配套使用焊座CLEANadapt（1" 的EMZ、EMK、EHG，管徑 > DN25， ISO 20；適配器 AMC 和AMV）。
· 使用EMZ或EMK焊入式套座的焊縫必須符合現(xiàn)行3-A衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)。
· 安裝位置：安裝位置、自排水和漏孔位置必須符合現(xiàn)行3-A衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)

NVS-041、 -043、 -046、 -061、 -063、 -066、 -081、 -083、 -086 產(chǎn)品信息 帶M12衛(wèi)生型螺紋接口的電導(dǎo)式液位開(kāi)關(guān)

認(rèn)證

74-06

TYPE EL March 2006

傳感器正確選型 · 涂層 對(duì)于多泡沫、粘性（例如酸奶）和易變濕介質(zhì)（例如強(qiáng)堿溶液），建議使用帶有涂層的 探棒。 對(duì)于含水、非粘性的和不易變濕的介質(zhì)，選用不帶涂層的探棒。 · 溫度 如果需要帶集成液位變送器MNV的傳感器且介質(zhì)溫度高于60°C（H選項(xiàng)），建議使 用帶頸管的高溫版。

應(yīng)用/具體案例

· 對(duì)容器和管道中的低電導(dǎo)率水性和導(dǎo)電介質(zhì)進(jìn)行限位檢測(cè)。導(dǎo)電率取決于變送器： 使用外部變送器如VNV或ZNV-Z系列時(shí)，電導(dǎo)率為1 μS/cm；使用集成變送器 MNV-1C或MNV-M時(shí)，電導(dǎo)率為10 μS/cm。.