臺達400W高速高精度伺服驅動器-東莞吉創

臺達400W高速高精度伺服驅動器特點
1、運行穩定；
2、可控性好；
3、響應快速；
4、靈敏度高；
5、機械特性和調節特性的非線性度指標嚴格（要求分別小于10%～15%和小于15%～25%）等特點；臺達伺服電機|ASD-A2-0421-E|原裝*
臺達400W高速高精度伺服驅動器優勢
伺服電機有交流伺服電機和直流伺服電機兩種，臺達伺服電機屬于交流伺服電機，與直流伺服電機比較，主要優勢如下：臺達伺服電機|ASD-A2-0421-E|原裝*
1、無電刷和換向器，因此工作可靠，對維護和保養要求低；
2、定子繞組散熱比較方便；
3、慣量小，易于提高系統的快速性；
4、適應于高速大力矩工作狀態；
5、同功率下有較小的體積和重量。
臺達400W高速高精度伺服驅動器的應用案例
隨著世界能源供應的日趨緊張，可再生能源光伏產品發展迅猛，據行業統計2005年全國太陽能電池產能為300MW，到 2007年已發展到1000MW，到2010年我國太陽能電池/組件產能將達到5000MW以上，顯示出對單晶和多晶硅有很大的市場需求，比原來的市場預期提前了10年以上，也預示出單晶硅爐的市場需求將成倍增長。單晶硅爐是半導體材料直拉法晶體設備，其硅單晶棒料經切割等后續工藝處理成芯片被制作為二極管.太陽能電池.集成電路等半導體材料的主要器件。近幾年來由于能源危機及地球環境改善帶來對新能源，可再生能源的巨大需求，光伏產業出現*的增長，半導體硅材料的生產又進入新的發展期，因此大力加速發展可再生能源.硅光伏產業及共基礎材料---高純半導體硅（單晶.多芯片）材料已成為當務之急，而硅材料的生長離不開單晶硅爐和多晶硅爐的設備支持。
二、單晶硅爐的工藝流程簡介、技術需求及方案的分析
2-1、單晶硅爐的工藝流程簡介
單晶硅爐爐的組成組件可分成四部分
（1）爐體：包括石英坩堝，石墨坩堝，加熱及絕熱組件，爐壁
（2）晶棒及坩堝拉升旋轉機構：包括籽晶夾頭，吊線及拉升旋轉組件
（3）氣氛壓力控制：包括氣體流量控制，真空系統及壓力控制閥
（4）控制系統：包括偵測感應器及電腦控制系統
加工工藝：
加料→熔化→縮頸生長→放肩生長→等徑生長→尾部生長
（1）加料：將多晶硅原料及雜質放入石英坩堝內，雜質的種類依電阻的N或P型而定。雜質種類有硼，磷，銻，砷。
（2）熔化：加完多晶硅原料于石英堝內后，長晶爐必須關閉并抽成真空后充入高純氬氣使之維持一定壓力范圍內，然后打開石墨加熱器電源，加熱至熔化溫度（1420℃）以上，將多晶硅原料熔化。
（3）縮頸生長：當硅熔體的溫度穩定之后，將籽晶慢慢浸入硅熔體中。由于籽晶與硅熔體場接觸時的熱應力，會使籽晶產生位錯，這些位錯必須利用縮勁生長使之消失掉。縮頸生長是將籽晶快速向上提升，使長出的籽晶的直徑縮小到一定大小（4-6mm）由于位錯線與生長軸成一個交角，只要縮頸夠長，位錯便能長出晶體表面，產生零位錯的晶體。
（4）放肩生長：長完*之后，須降低溫度與拉速，使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小。
（5）等徑生長：長完*和肩部之后，借著拉速與溫度的不斷調整，可使晶棒直徑維持在正負2mm之間，這段直徑固定的部分即稱為等徑部分。單晶硅片取自于等徑部分。
（6）尾部生長：在長完等徑部分之后，如果立刻將晶棒與液面分開，那么效應力將使得晶棒出現位錯與滑移線。于是為了避免此問題的發生，必須將晶棒的直徑慢慢縮小，直到成一尖點而與液面分開。這一過程稱之為尾部生長。長完的晶棒被升*爐室冷卻一段時間后取出，即完成一次生長周期。