PHI quantera SXM掃描X射線光電子能譜儀世界掃描式X射線源根據X射線掃描樣品表面所得的二次電子像(ScanningX-ray Image,斑束直徑為9-200微米)能正確而迅速地確定分析位置  分析靈敏度高(采用32通道檢測器)  與普通的入射透鏡視場限制式X射線光電子譜儀相比微區分析靈敏度約提高10-20倍(<30微米,和 本公司的入射透鏡視場限制式X射線光電子譜儀相比)  利用低能電子束和低能離子束同時照射樣品使得絕緣材料的分析變得非常方便(因為對所有絕緣材料使用近乎相同的中和條件并且該中和條件在測定時會自動開啟) 使用新型離子槍能快速地進行深度剖面分析并可獲 得高深度分辨率  

PHI quantera SXM掃描X射線光電子能譜儀離子化：能量以這樣的方式從初級離子被轉移到樣品表面，在撞擊的地區附近，導致有相當表面的范圍分裂，造成釋放低質量的原子和分子種類。在撞擊地區，能量進一步傳到基質導致釋放出更高質量的分子種類。 靜態：有一個初級離子轟擊的狀態，被稱為“靜態”SIMS，這種狀態下每次撞擊在樣品表面的離子數量很低，使每個連續的初級離子能撞擊 到未經撞擊的表面。這種靜態SIMS不會突然結束，但普遍接受的只限于?1012至1013初級離子/cm2 。時間飛行質譜遵循靜態SIMS的規則。  TRIFT分析器：TRIFT分析器不斷重新聚焦二次離子在光譜儀。該分析儀具有超大的角和能源驗收，通過采用具有優良離子傳輸能力的三重重點半球形靜電分析器可達到高空間分辨率和質量分辨率。