物理結構
1.1. 過程密
壓力傳感器擴散硅壓力變送器設計保證即使傳感器膜片損壞或故障時，壓力傳感器擴散硅壓力變送器?仍能安全地工作。電子線路側（室）有兩級密封與過程隔離，第三級密封實現(xiàn)了與現(xiàn)場接線端子和導線管入口相隔離。過程密封的設計及其位置使變送器殼體耐壓，并防止過程雜質由接線端子側通過導線管進入。
1.2. 雙室結構外殼
壓力傳感器擴散硅壓力變送器?繼承了TSK51系列的設計傳統(tǒng)，為雙室外殼設計。雙室外殼令電子線路與外部環(huán)境相隔離，可防止由于環(huán)境潮濕或導線管冷凝損壞變送器。一般不要求導線管密封。另外，即使在傳感器膜頭*損壞時，雙室結構也可以保證接線端子及導線管與過程相隔離。
1.3. 傳感器膜片
壓力傳感器擴散硅壓力變送器??將壓力傳給硅壓阻式壓力傳感器，傳感器內充有硅油。對于表壓變送器，傳感器的參考壓力為大氣壓；對于絕壓變送器，傳感器的參考壓力是一個密封的真空參考源。
過程壓力加在傳感器的傳感膜片上，令膜片產(chǎn)生一個微小變形，這會給予傳感器內的惠斯登電橋施加一個應力，使惠斯登電橋產(chǎn)生應變電阻變化，電阻變化被測量,并轉換為一個4~20mA直流電流變化被輸出。
1.4. 電子線路板模塊
電子線路采用ASIC（集成電路）和表面封裝技術。電子板接收傳感器膜頭的經(jīng)溫度補償?shù)碾娮枳兓盘柡螅瑢π盘栠M行修正和線性化，輸出一個直流電流信號。
