光譜反射儀是一種功能強大切且非接觸式的薄膜測量方法，膜厚儀器，當薄膜厚度和光學常數在測量系統范圍內時，系統能又快又輕松的測量。在用來測量薄膜厚度時，有幾種常見的對光譜反射儀的誤解。比如： 1. 它只能測量薄膜厚度，且需要預先知道光學常數(折射率和消光系數); 2. 和橢偏儀相比它的精度較低; 3. 只有一到兩個厚度可同時測量。 這些誤解反映了光譜反射儀這種技術沒有被充分利用。其使用方法和數據分析有待進一步的深入。 光譜反射儀和橢偏儀都是間接的測量方法，都需要建立一個模型，通過調整物理參數(厚度和光學常數)，使得模型與測量得到的反射率曲線達到擬合度，以此來反推計算薄膜厚度和光學常數。橢偏儀考慮了光的極化，采用P波和S偏振反射光之間的相位差異，然而光譜反射儀不使用相位差，光學膜厚儀，非常薄的薄膜對相位差敏感度很高，但薄膜厚度增加相位差敏感度會減少。事實上，橢偏儀在下列情況下較光譜反射儀有明顯優勢： 1. 待測薄膜很薄<10納米 2. 在測量非吸收薄膜時，同步測量T、n(K=0) 3. 直接測量n，k值(主要用于未知材料的基片) 但是光譜反射儀在下列情況下具有明顯的優勢： 1. 精度要求較高的厚度測量(除很薄的薄膜外)MProbe精度<0.01納米 2. 測量較厚的薄膜(>10微米)。Mprobe精度達到500微米 3. 更高的測量速度 Mprobe<1毫秒 4. 測量表面粗糙度 這兩種技術都可以測量復雜的多層薄膜，計算其厚度和材料的n、k值。 通常人們都使用光譜反射儀，認為它適合簡單的厚度測量：一至二層薄膜。下面是一些使用光譜反射儀證明其存在更復雜的應用能力的例子：通常，測量poly-Si多晶硅和SiN(氮化硅)是兩個主要應用，導致了橢偏儀和光譜反射儀在半導體工業領域里有著廣泛的應用。以傳統的使用方法，顯然不適合這些應用。因此，說明光譜反射儀的應用是非常有意義的。事實上如果運用得當，測量它們非常成功。
