TRICONEX 3706A

TRICONEX 3706A廈門光沃自動(dòng)化設(shè)備有限公司
：歐工
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利用運(yùn)放反饋與基準(zhǔn)電壓生成任意大小的直流電流是一個(gè)簡單、直接的過程。但是，假設(shè)須要生成一些任意數(shù)量（以N為例）的電流沉/源（current sink/source），而每個(gè)電流沉/源的大小任意，可能須要針對不同階段的一些復(fù)雜模擬電路進(jìn)行偏置。雖然基準(zhǔn)電壓的生成僅須一次實(shí)施即可，電流沉整個(gè)反饋部分的重復(fù)進(jìn)行卻使成本與設(shè)計(jì)空間密集化。那么問題來了：是否可以使用單個(gè)反饋源來實(shí)現(xiàn)這種偏置網(wǎng)絡(luò)呢？答案是肯定的，盡管這有些復(fù)雜，也須滿足某些特定條件。該網(wǎng)絡(luò)（本文分析中僅以電流沉為例）如圖1所示。

　　圖1：灌電流網(wǎng)絡(luò)

　　zui終MOSFET（金氧半場效晶體管）源電壓VS以及RSET電阻決定著各柱上的灌電流（sink current）；通過去除來自外部電流沉柱的反饋（即所有N》1），已失去對VSN的直接控制。因此，RSETN必須精心選擇以生成預(yù)期的任意第N個(gè)柱的灌電流，即ISINKN。仔細(xì)觀察上面的圖1，很容易得出定義偏置網(wǎng)絡(luò)第N個(gè)柱電流與第1個(gè)柱電流的比值的等式︰

　　重新調(diào)整等式1，得出R1與RN電阻比MRN，等式變?yōu)椋?/p>

140CPU43412  140CPU43412A  140CPU53414   140CPU53414A
140CRA21110   140CRA93100   140CRA93101   140CRA93200
140CRP81100   140CRP93100  140CRP93200   140DAI35300
140DAI54000   140DAI54300   140DAI55300   140DAO84000
140DAO84000   140DAO84010  140DAO84210   140DAO84210   140DAO85300
140DDI35300   140DDI45400  140DDI84100  140DDI85300  140DDO15300
140DDO35300  140DDO84300   140DDM39000   140DRA84000  140DRC83000
140ECH10500   140EHC20200   140NOE25100   140NOM21100   140NOM25200
140SHS94500  140XBP00400   140XBP00600  140XBP01000