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KRI 霍爾離子源 eH 200
上海伯東代理美國進口 KRI 霍爾離子源 eH200 是霍爾離子源型 eH 系列中尺寸最小, 低成本設計離子源. 霍爾離子源 eH200 適用于小型真空腔內, 例如研發分析, 薄膜沉積和離子清洗. 霍爾離子源 eH200 操作簡單是理想的生產工具.
KRI 霍爾離子源 eH 200 技術參數:
型號 | eH 200 |
供電 | DC magnetic confinement |
- 電壓 | 40-300V VDC |
- 離子源直徑 | ~ 2 cm |
- 陽極結構 | 模塊化 |
電源控制 | eHx-3005A |
配置 | - |
- 陰極中和器 | Filament or Hollow Cathode |
- 離子束發散角度 | > 45° (hwhm) |
- 陽極 | 標準或 Grooved |
- 水冷 | 無 |
- 底座 | 移動或快接法蘭 |
- 高度 | 2.0' |
- 直徑 | 2.5' |
-加工材料 | 金屬 |
-工藝氣體 | Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
- 安裝距離 | 6-24” |
- 自動控制 | 控制4種氣體 |
* 可選: 可調角度的支架; Filamentless; Sidewinder
KRI 霍爾離子源 eH 200 應用領域:
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
直接沉積 DD
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上海伯東 : 羅先生